LQW18AN3N9C 是一款高性能的功� MOSFET,主要用于開(kāi)�(guān)電源、DC-DC �(zhuǎn)換器、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及�(fù)載開(kāi)�(guān)等應(yīng)�。該器件采用先�(jìn)的制程技�(shù)制�,具有低�(dǎo)通電阻和高開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)的效率并降低能��
該芯片封裝形式為行業(yè)�(biāo)�(zhǔn)� TO-252(DPAK�,適合表面貼裝工�,同�(shí)具備良好的散熱性能,使其在高溫�(huán)境下依然能保持穩(wěn)定的工作狀�(tài)�
�(lèi)型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�14A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�15mΩ
柵極電荷(Qg)�17nC
�(kāi)�(guān)速度:快�
工作溫度范圍�-55� to +175�
LQW18AN3N9C 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以有效減少傳�(dǎo)損耗,特別適用于高效能�(shè)�(jì)需��
2. 快速的�(kāi)�(guān)性能確保了較低的�(kāi)�(guān)損耗,提升了整體效��
3. 高額定漏極電� Id 和較高的 Vds,使其能夠勝任大功率�(yīng)��
4. 小型化封裝與出色的熱性能,滿足緊湊型�(shè)�(jì)要求�
5. 工作溫度范圍寬廣,適用于工業(yè)�(jí)及汽�(chē)�(jí)�(huán)境�
LQW18AN3N3C 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. �(kāi)�(guān)電源 (SMPS) 中作為主�(kāi)�(guān)管或同步整流��
2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的高頻�(kāi)�(guān)元件�
3. 電機(jī)�(qū)�(dòng)電路中的功率控制器件�
4. 各種�(fù)載開(kāi)�(guān)�(chǎng)景以�(shí)�(xiàn)快速開(kāi)啟和�(guān)閉功能�
5. 電池保護(hù)系統(tǒng)中用作理想二極管或反向電流阻��
LQW18AN3N9D, IRF540N, AO3400