LQW18AN2N2D00D是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,采用DFN3520-11封裝形式。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高效能開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備等�(lǐng)�。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能表現(xiàn)�
類型:N溝道 MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大漏極電�(Id)�18A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
柵極電荷(Qg)�47nC
工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+150�
封裝形式:DFN3520-11
LQW18AN2N2D00D具有超低的導(dǎo)通電阻(�2mΩ�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,該器件具備快速開�(guān)能力,可有效降低開關(guān)損耗,在高頻開�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場景中表現(xiàn)出色�
同時(shí),其采用的DFN3520-11封裝具有良好的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
此器件還具有較強(qiáng)的抗靜電能力,ESD等級�(dá)到HBM 2級標(biāo)�(zhǔn),從而降低了因靜電放電導(dǎo)�?lián)p壞的�(fēng)�(xiǎn)�
總的來說,LQW18AN2N2D00D是一款兼具高性能與高可靠性的功率MOSFET,非常適合用于對效率和穩(wěn)定性要求較高的�(yīng)用場��
LQW18AN2N2D00D廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply),如適配�、充電器��
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)電路�
5. LED�(qū)�(dòng)器和DC/DC�(zhuǎn)換器等需要高效功率管理的場景�
LQW18AN2N2D00A
LQW18AN2N2D00B