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LQW18AN2N2D00D 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/4/27 9:18:25 查看 閱讀�28

LQW18AN2N2D00D是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的功率MOSFET芯片,采用DFN3520-11封裝形式。該器件專為低導(dǎo)通電阻和高效能開�(guān)�(yīng)用而設(shè)�(jì),適用于消費(fèi)電子、工�(yè)控制及通信�(shè)備等�(lǐng)�。其主要特點(diǎn)包括低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度以及出色的熱性能表現(xiàn)�

參數(shù)

類型:N溝道 MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�30V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大漏極電�(Id)�18A
  �(dǎo)通電�(Rds(on))�2mΩ
  柵極電荷(Qg)�47nC
  工作�(jié)溫范�(Tj)�-55℃至+150�
  封裝形式:DFN3520-11

特�

LQW18AN2N2D00D具有超低的導(dǎo)通電阻(�2mΩ�,這使其在高電流應(yīng)用中能夠顯著減少功率損耗并提升系統(tǒng)效率。此�,該器件具備快速開�(guān)能力,可有效降低開關(guān)損耗,在高頻開�(guān)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)等場景中表現(xiàn)出色�
  同時(shí),其采用的DFN3520-11封裝具有良好的散熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運(yùn)�,�(jìn)一步增�(qiáng)了產(chǎn)品的可靠性和耐用��
  此器件還具有較強(qiáng)的抗靜電能力,ESD等級�(dá)到HBM 2級標(biāo)�(zhǔn),從而降低了因靜電放電導(dǎo)�?lián)p壞的�(fēng)�(xiǎn)�
  總的來說,LQW18AN2N2D00D是一款兼具高性能與高可靠性的功率MOSFET,非常適合用于對效率和穩(wěn)定性要求較高的�(yīng)用場��

�(yīng)�

LQW18AN2N2D00D廣泛�(yīng)用于各類電力電子�(lǐng)�,包括但不限于以下方面:
  1. 開關(guān)電源(Switching Power Supply),如適配�、充電器��
  2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電�(jī)�(qū)�(dòng)控制�
  3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的功率轉(zhuǎn)換模��
  4. 汽車電子系統(tǒng)中的�(fù)載切換與保護(hù)電路�
  5. LED�(qū)�(dòng)器和DC/DC�(zhuǎn)換器等需要高效功率管理的場景�

替代型號

LQW18AN2N2D00A
  LQW18AN2N2D00B

lqw18an2n2d00d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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lqw18an2n2d00d參數(shù)

  • �(chǎn)品培�(xùn)模塊Inductor Products
  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別電感�,線圈,扼流�
  • 家庭固定�
  • 系列LQW18A_00
  • 電感2.2nH
  • 電流700mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型-
  • 容差±0.5nH
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻(DCR)最� 49 毫歐
  • Q因子@頻率16 @ 250MHz
  • 頻率 - 自諧�6GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝Digi-Reel®
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz
  • 其它名稱490-1158-6