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您所在的位置�電子元器件采購網 > IC百科 > LQW18AN10NG00D

LQW18AN10NG00D 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 12:22:54 查看 閱讀�27

LQW18AN10NG00D 是一款由羅姆(ROHM)生產的低導通電阻N溝道MOSFET芯片,專為高效率開關應用而設�。該器件采用先進的制造工�,具備出色的電氣性能和可靠性,適用于各種功率轉換和負載開關場景�
  其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的應用場合,同時能夠滿足高性能和低功耗的需��

參數(shù)

最大漏源電壓:10V
  連續(xù)漏極電流�36A
  導通電阻:0.5mΩ(典型�,@Vgs=4.5V�
  柵極電荷�7nC(典型值)
  工作結溫范圍�-55℃至175�
  封裝形式:LFPAK18(Power-SO8兼容�

特�

LQW18AN10NG00D 的主要特性包括:
  1. 極低的導通電阻,可顯著降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
  2. 高電流處理能�,適合大功率應用場景�
  3. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間�
  4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
  5. 快速開關速度,減少開關損耗�
  6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��

應用

這款MOSFET廣泛應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
  2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流管�
  3. 電機驅動電路中的功率級開關�
  4. 負載開關、保護電路及電池管理�
  5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控��
  6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模��

替代型號

LQW18AN10TGYZD, LQW18AN10NG00S

lqw18an10ng00d推薦供應� 更多>

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lqw18an10ng00d參數(shù)

  • 標準包裝4,000
  • 類別電感器,線圈,扼流圈
  • 家庭固定�
  • 系列LQW18A_00
  • 電感10nH
  • 電流650mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型-
  • 容差±2%
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻(DCR)最� 110 毫歐
  • Q因子@頻率35 @ 250MHz
  • 頻率 - 自諧�6GHz
  • 材料 - 芯體-
  • 封裝/外殼0603�1608 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz