LQW18AN10NG00D 是一款由羅姆(ROHM)生產的低導通電阻N溝道MOSFET芯片,專為高效率開關應用而設�。該器件采用先進的制造工�,具備出色的電氣性能和可靠性,適用于各種功率轉換和負載開關場景�
其小型化的封裝形式使其非常適合空間受限的應用場合,同時能夠滿足高性能和低功耗的需��
最大漏源電壓:10V
連續(xù)漏極電流�36A
導通電阻:0.5mΩ(典型�,@Vgs=4.5V�
柵極電荷�7nC(典型值)
工作結溫范圍�-55℃至175�
封裝形式:LFPAK18(Power-SO8兼容�
LQW18AN10NG00D 的主要特性包括:
1. 極低的導通電阻,可顯著降低傳導損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,適合大功率應用場景�
3. 小型化封裝,節(jié)省PCB空間�
4. �(yōu)異的熱性能,能夠在高溫�(huán)境下�(wěn)定運��
5. 快速開關速度,減少開關損耗�
6. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛設��
這款MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的同步整��
2. DC-DC轉換器中的主開關或同步整流管�
3. 電機驅動電路中的功率級開關�
4. 負載開關、保護電路及電池管理�
5. 汽車電子系統(tǒng)中的功率分配與控��
6. 工業(yè)自動化設備中的功率轉換模��
LQW18AN10TGYZD, LQW18AN10NG00S