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LQW15AN18NG00D 發(fā)布時間 時間:2025/5/29 23:41:55 查看 閱讀:9

LQW15AN18NG00D 是一款由羅姆(ROHM)半導(dǎo)體制造的 N 溝道增強型金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)。該器件適用于高頻開關(guān)和低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用場景,廣泛用于消費電子、工業(yè)設(shè)備以及通信領(lǐng)域的電源管理模塊中。其設(shè)計特點在于高效率和小尺寸封裝,非常適合空間受限的設(shè)計需求。
  該 MOSFET 的工作電壓范圍寬廣,能夠支持較高的連續(xù)漏極電流,同時具備快速開關(guān)特性,有助于降低功率損耗并提升系統(tǒng)性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:24A
  導(dǎo)通電阻(典型值):1.8mΩ
  柵極電荷(典型值):98nC
  開關(guān)速度:快速
  封裝形式:LFPAK8
  工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃

特性

LQW15AN18NG00D 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,能夠有效減少功率損耗并提高效率。
  2. 高電流處理能力,適合大功率應(yīng)用場合。
  3. 快速開關(guān)性能,有助于降低開關(guān)損耗,尤其在高頻開關(guān)電源中表現(xiàn)出色。
  4. 小型化封裝 LFPAK8 提供了卓越的熱性能和電氣性能,同時節(jié)省了 PCB 空間。
  5. 寬泛的工作溫度范圍使其能夠在惡劣環(huán)境下穩(wěn)定運行。
  6. 符合 RoHS 標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求。

應(yīng)用

這款 MOSFET 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS),例如 AC/DC 和 DC/DC 轉(zhuǎn)換器。
  2. 電機驅(qū)動電路,用于家用電器、工業(yè)設(shè)備中的無刷直流電機控制。
  3. 電池保護電路,如電動汽車和便攜式設(shè)備中的過流、過壓保護。
  4. 通信設(shè)備中的信號切換和負載切換。
  5. 太陽能逆變器以及其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的綠色能源解決方案。
  LQW15AN18NG00D 的高性能指標和緊湊設(shè)計使其成為現(xiàn)代電子產(chǎn)品中不可或缺的關(guān)鍵元件。

替代型號

LQW14AN18N3G00D, LQW15AN18NF00D

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lqw15an18ng00d參數(shù)

  • 標準包裝10,000
  • 類別電感器,線圈,扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQW15A_00
  • 電感18nH
  • 電流370mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型空氣芯體
  • 容差±2%
  • 屏蔽無屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最大 270 毫歐
  • Q因子@頻率25 @ 250MHz
  • 頻率 - 自諧振4.5GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402(1005 公制)
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz