LQP21A39NG14M00-03 是一款由羅姆(ROHM)公司生�(chǎn)的低功� P 溝道功率 MOSFET。該器件采用了先�(jìn)的工藝技�(shù),具有較低的�(dǎo)通電阻和快速的開關(guān)速度,非常適合用于負(fù)載開�(guān)、電源管理以及電池保�(hù)等應(yīng)�。其封裝形式為小型化�(shè)�(jì),有助于節(jié)省電路板空間�
這款 MOSFET 在便攜式電子�(shè)備中表現(xiàn)尤為出色,例如智能手�(jī)、平板電�、可穿戴�(shè)備以及其他對(duì)能效要求較高的產(chǎn)��
型號(hào):LQP21A39NG14M00-03
品牌:ROHM
類型:P 溝道 MOSFET
最大漏源電壓(Vds):-30 V
最大柵極源極電壓(Vgs):±8 V
連續(xù)漏極電流(Id):-6.5 A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):120 mΩ(典型值,� Vgs = -4.5V �(shí)�
功耗(Ptot):1.1 W
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝:USP-6B
LQP21A39NG14M00-03 的主要特�(diǎn)是其出色的低�(dǎo)通電阻性能,這可以顯著降低在高電流條件下的功耗,從而提升整體效�。此�,器件具備良好的熱穩(wěn)定�,能夠承受高溫環(huán)�,并且支持快速開�(guān)操作,這對(duì)于動(dòng)�(tài)�(fù)載變化的�(yīng)用場(chǎng)景非常關(guān)��
該元件還具有�(yōu)異的靜電防護(hù)能力,能夠在生產(chǎn)及實(shí)際使用過程中提供更高的可靠性。其小型化的封裝�(shè)�(jì)也使其成為緊湊型�(shè)�(jì)的理想選��
LQP21A39NG14M00-03 廣泛�(yīng)用于各種需要高效電源管理和低功耗特性的�(chǎng)�。典型應(yīng)用場(chǎng)景包括:
- �(fù)載開�(guān)控制
- DC-DC �(zhuǎn)換器中的同步整流
- 電池供電�(shè)備中的電源切�
- 可穿戴設(shè)備和物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備中的節(jié)能設(shè)�(jì)
- 各類手持�(shè)備和消費(fèi)電子�(chǎn)品中的電源路徑管�
LQP018N03SL-M, LQP018P03UL-M