LQP03TN82NJ02D是一款由ROHM生產(chǎn)的低導通電阻N溝道功率MOSFET。該器件采用小型化的DFN封裝,非常適合用于需要高效開�(guān)和低功耗的�(yīng)用場景。其低導通電阻的特性可以有效減少電路中的功率損耗,并且具備快速開�(guān)速度和高可靠�。這款MOSFET廣泛�(yīng)用于消費電子、通信�(shè)備以及工�(yè)控制等領(lǐng)��
該芯片設(shè)計旨在優(yōu)化空間受限應(yīng)用中的性能表現(xiàn),同時提供出色的電氣特性和熱性能�
最大漏源電壓:30V
最大柵源電壓:±20V
持續(xù)漏極電流�3.9A
導通電阻:28mΩ(典型�,Vgs=10V時)
總功耗:740mW
工作溫度范圍�-55℃至150�
封裝形式:DFN2020-6
LQP03TN82NJ02D具有超低的導通電�,從而顯著降低了導通損�,提高了系統(tǒng)效率。它還具備良好的熱穩(wěn)定性和快速的開關(guān)速度,適合高頻操作環(huán)�。此外,該元件采用了緊湊型表面貼裝封�,節(jié)省了PCB空間并簡化了組裝過程�
此款MOSFET�(jīng)過嚴格的�(zhì)量測�,確保在惡劣的工作條件下也能保持高性能和高可靠性。由于其小尺寸和高效的電氣性能,它是許多便攜式和空間敏感型�(shè)備的理想選擇�
LQP03TN82NJ02D適用于多種應(yīng)用場�,包括但不限于開�(guān)電源(SMPS�、DC-DC�(zhuǎn)換器、負載開�(guān)、電機驅(qū)�、LED照明以及電池管理等。憑借其�(yōu)越的電氣特性和緊湊的設(shè)�,該元件特別適合智能手機、平板電�、可穿戴�(shè)備和其他便攜式電子產(chǎn)品中的電源管理和信號切換功能�
另外,在通信�(shè)備領(lǐng)�,如路由器、交換機及基站中也有廣泛�(yīng)�。在工業(yè)自動化方面,可用于各類傳感器接口、過程控制單元以及數(shù)�(jù)采集系統(tǒng)的電源部��
LQP03TN82NL02D
LQP03TN82NK02D