LQP03TN5N6H02D是一款貼片式低阻值功率MOSFET,屬于東芝公司的產品系列。該器件采用超小型封�,具有出色的導通電阻和開關性能,適合用于各種高效率、空間受限的應用場合。其主要特點是低導通電阻、快速開關速度以及良好的熱�(wěn)定��
這款MOSFET適用于消費電子、工�(yè)設備及通信領域的電源管理應�,能夠有效減少功率損耗并提高系統整體效率�
類型:N-Channel MOSFET
最大漏源電�(Vds)�30V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�5.9A
導通電�(Rds(on))�2.8mΩ (在Vgs=10V�)
總功�(Ptot)�1.4W
工作溫度范圍�-55� to +175�
封裝形式:LFPAK33 (PowerSON3x3)
LQP03TN5N6H02D具有以下顯著特性:
1. 極低的導通電阻(Rds(on)�,可降低傳導損耗,提升效率�
2. 超小型封裝設�,非常適合緊湊型電路板布局�
3. 高開關速度支持高頻操作,滿足現代電源轉換需求�
4. �(yōu)異的熱穩(wěn)定性和可靠�,確保在惡劣�(huán)境下的長期使用�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且支持無鉛焊接工藝�
該MOSFET廣泛應用于以下領域:
1. 開關模式電源(SMPS)中的同步整流和降�/升壓轉換�
2. DC-DC轉換器,特別是筆記本電腦、平板電腦和智能手機等便攜式設備�
3. 電機驅動和負載切換控��
4. 工業(yè)自動化設備中的電源管理和信號處理�
5. 通信基礎設施中的高效功率轉換模塊�
LQP03TN5N6H02DS, LQP03TN5N6H02DG