LQP03TN39NJ02D 是一款由 Rohm(羅姆)生產(chǎn)的超小型、低�(dǎo)通電阻的 N 溝道功率 MOSFET。該�(chǎn)品采� USP-6B 封裝,具有出色的�(kāi)�(guān)性能和散熱特�,非常適合用于空間受限的�(yīng)用場(chǎng)�。這款器件主要用于電源管理、負(fù)載開(kāi)�(guān)、電�(jī)�(qū)�(dòng)以及便攜式電子設(shè)備中的高效開(kāi)�(guān)�(yīng)��
其小尺寸和高性能特點(diǎn)使其成為�(xiàn)代消�(fèi)類電子產(chǎn)�、通信�(shè)備和工業(yè)控制的理想選��
型號(hào):LQP03TN39NJ02D
制造商:Rohm
類型:N溝道 MOSFET
VDS(漏源極電壓):40V
RDS(on)(導(dǎo)通電阻)�3.5mΩ(典型值,VGS=10V�(shí)�
IDS(連續(xù)漏極電流):18A
VGS(th)(柵極閾值電壓)�1.7V~2.7V
封裝:USP-6B
工作溫度范圍�-55℃~+150�
LQP03TN39NJ02D 具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)�,可顯著降低功耗并提高效率�
2. 超小型封裝設(shè)�(jì),節(jié)� PCB 空間,非常適合便攜式�(shè)��
3. 高耐壓能力(VDS = 40V�,能夠在多種電路中穩(wěn)定運(yùn)��
4. 快速開(kāi)�(guān)性能,減少開(kāi)�(guān)損耗�
5. 出色的熱�(wěn)定�,確保在高電流應(yīng)用中的可靠��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且滿足�(guó)際法�(guī)要求�
LQP03TN39NJ02D 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 移動(dòng)�(shè)備的電源管理單元 (PMU) 和負(fù)載開(kāi)�(guān)�
2. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品中� DC/DC �(zhuǎn)換器和電池管理系�(tǒng)�
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的電�(jī)�(qū)�(dòng)和信�(hào)切換�
4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路中的高效�(kāi)�(guān)元件�
5. 通信�(shè)備中的電源保�(hù)和電流控��
6. 筆記本電腦和平板電腦中的電池充電及放電路徑管理�
LQP03TN39KJ02D, LQP03TN39MJ02D