時(shí)間：2025/5/24 12:00:44
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LQP03TN1N5B02D 是一款由羅姆（ROHM）生產(chǎn)的超小型、低導(dǎo)通電阻的 P 溝道功率 MOSFET。該器件采用 USP-6B 封裝形式，具有出色的性能和緊湊的設(shè)計(jì)，適合在空間受限的應(yīng)用中使用。這款 MOSFET 主要用于負(fù)載開關(guān)、電源管理以及電池供電設(shè)備中的電流控制。
由于其低導(dǎo)通電阻特性，LQP03TN1N5B02D 能夠顯著降低功耗并提升系統(tǒng)的整體效率。同時(shí)，該產(chǎn)品具備較高的可靠性與穩(wěn)定性，使其能夠在各種復(fù)雜的電子系統(tǒng)中發(fā)揮重要作用。
型號：LQP03TN1N5B02D
封裝：USP-6B
Vds（最大漏源電壓）：-30V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：80mΩ
Id（持續(xù)漏極電流）：-2.4A
Qg（柵極電荷）：7nC
Vgs(th)（閾值電壓）：-0.8V to -1.4V
fT（截止頻率）：270MHz
工作溫度范圍：-55℃ to 150℃
LQP03TN1N5B02D 的主要特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），有助于減少功率損耗并提高轉(zhuǎn)換效率。
2. 超緊湊的封裝設(shè)計(jì)（USP-6B），非常適合便攜式設(shè)備和其他空間有限的應(yīng)用場景。
3. 高度穩(wěn)定的電氣性能，在寬泛的工作溫度范圍內(nèi)表現(xiàn)一致。
4. 快速開關(guān)能力，能夠有效支持高頻應(yīng)用需求。
5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，確保環(huán)保合規(guī)性。
6. 出色的熱性能，即使在高電流條件下也能保持穩(wěn)定運(yùn)行。
7. 內(nèi)置靜電保護(hù)功能，增強(qiáng)了器件的魯棒性和可靠性。
這些特性使得 LQP03TN1N5B02D 成為眾多電源管理和信號切換應(yīng)用的理想選擇。
LQP03TN1N5B02D 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 移動(dòng)設(shè)備中的電源管理單元，例如智能手機(jī)、平板電腦和筆記本電腦。
2. 電池供電設(shè)備中的負(fù)載開關(guān)和電流控制電路。
3. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的信號隔離和保護(hù)電路。
4. LED 照明系統(tǒng)中的驅(qū)動(dòng)器和調(diào)光控制器。
5. 可穿戴設(shè)備中的高效電源管理解決方案。
6. 通信設(shè)備中的 DC/DC 轉(zhuǎn)換器和電源模塊。
由于其出色的性能和緊湊的設(shè)計(jì)，LQP03TN1N5B02D 在現(xiàn)代電子產(chǎn)品的開發(fā)中得到了廣泛應(yīng)用。
LQP03TN1P8B02D
LQP03TN1N3B02D
