LQG15HS7N5J02D 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的高效能功率 MOSFET,采用 QFN 封裝形式。該芯片主要應(yīng)用于開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、DC-DC 轉(zhuǎn)換器等場(chǎng)景,具有低導(dǎo)通電阻和高切換效率的特點(diǎn)。其設(shè)計(jì)旨在滿足對(duì)功耗敏感的應(yīng)用需求,同時(shí)提供出色的熱性能和可靠性。
該器件的內(nèi)部結(jié)構(gòu)基于先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝技術(shù),通過優(yōu)化溝道設(shè)計(jì)以降低 Rds(on)(導(dǎo)通電阻),從而減少傳導(dǎo)損耗,并提升整體系統(tǒng)效率。此外,它還支持高頻操作,非常適合現(xiàn)代電子設(shè)備中對(duì)小型化和高性能的要求。
型號(hào):LQG15HS7N5J02D
封裝:QFN (4x4mm)
最大漏源電壓 Vds:60V
最大柵極驅(qū)動(dòng)電壓 Vgs:±20V
連續(xù)漏極電流 Id:8.3A
導(dǎo)通電阻 Rds(on):4.5mΩ(典型值,Vgs=10V)
總柵極電荷 Qg:28nC(典型值)
工作溫度范圍:-55℃ 至 +175℃
結(jié)溫 Tj:175℃
LQG15HS7N5J02D 的核心優(yōu)勢(shì)在于其卓越的電氣性能與熱管理能力。以下是具體特點(diǎn):
1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)),確保在大電流應(yīng)用下顯著減少能量損耗。
2. 支持高達(dá) 60V 的漏源電壓,適用于多種電壓等級(jí)的應(yīng)用環(huán)境。
3. 高速開關(guān)性能得益于較低的柵極電荷(Qg),適合高頻電路設(shè)計(jì)。
4. 采用緊湊型 QFN 封裝,具備優(yōu)異的散熱性能,同時(shí)節(jié)省 PCB 空間。
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55℃ 至 +175℃),保證在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
6. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn),綠色環(huán)保。
LQG15HS7N5J02D 廣泛用于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管。
2. 電動(dòng)工具和家用電器中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。
3. DC-DC 轉(zhuǎn)換器的核心功率開關(guān)元件。
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切換和保護(hù)電路。
5. 汽車電子系統(tǒng)中的電池管理及電源分配模塊。
6. LED 驅(qū)動(dòng)器和其他需要高效功率轉(zhuǎn)換的場(chǎng)合。
LQG15HS7N5T02D
LQH15HS7N5J02D
IPB014N06N3G