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LQG15HS4N3S02D 發(fā)布時間 時間�2025/4/28 16:27:16 查看 閱讀�30

LQG15HS4N3S02D 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)� N 溝道功率 MOSFET,采� LFPAK8 封裝形式。該器件具有低導(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�(diǎn),適用于高效能的電源管理�(yīng)�,例� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)以及電機(jī)�(qū)動等場景�
  這款 MOSFET 的設(shè)�(jì)注重降低功耗并提高系統(tǒng)效率,其� RDS(on) 特性使其在高頻工作條件下表�(xiàn)�(yōu)異�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  最大連續(xù)漏極電流�6.5A
  �(dǎo)通電阻(RDS(on)):1.5mΩ(典型�,當(dāng) VGS=10V 時)
  柵極電荷�9nC(典型值)
  總電容(Ciss):2220pF(典型值)
  開關(guān)時間:ton=7ns,toff=12ns(典型值)
  工作�(jié)溫范圍:-55� � +175�
  封裝形式:LFPAK8

特�

LQG15HS4N3S02D 提供了卓越的性能表現(xiàn),特別是在低�(dǎo)通電阻方靀它� RDS(on) 值僅� 1.5mΩ,這使得它在大電流�(yīng)用中能夠顯著減少�(dǎo)通損耗�
  此外,這款 MOSFET 具有非常小的封裝尺寸,適合空間受限的�(shè)�(jì)需�。同�,其快速的開關(guān)特性和較低的柵極電荷也使其成為高頻電路的理想選擇�
  由于具備較高的工作溫度范�,該器件能夠在惡劣環(huán)境下可靠�(yùn)行,非常適合工業(yè)級或汽車級應(yīng)�。整體上,LQG15HS4N3S02D 在效率、可靠性和易用性之間達(dá)到了良好的平��

�(yīng)�

該器件主要應(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS) 中的同步整流�
  2. DC-DC �(zhuǎn)換器中的主開�(guān)或續(xù)流二極管替代方案
  3. 電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的�(fù)載開�(guān)
  4. 電機(jī)�(qū)動電路中的功率級開關(guān)
  5. 便攜式電子設(shè)備中的保�(hù)電路
  6. 高效� LED �(qū)動器中的開關(guān)元件
  LQG15HS4N3S02D 憑借其低導(dǎo)通電阻和緊湊型封�,在這些�(yīng)用中表現(xiàn)出色,能夠有效降低系�(tǒng)的整體能耗�

替代型號

LQG15HS4N3S02DSG, LQG15HS4N3S02DCT

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  • �(chǎn)品型�
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lqg15hs4n3s02d參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝10,000
  • 類別電感�,線圈,扼流�
  • 家庭固定�
  • 系列LQG15HS
  • 電感4.3nH
  • 電流300mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型空氣芯體
  • 容差±0.3nH
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻(DCR)最� 180 毫歐
  • Q因子@頻率8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧�6GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測試100MHz