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您所在的位置�電子元器件采購網(wǎng) > IC百科 > LQG15HS1N0B02D

LQG15HS1N0B02D 發(fā)布時間 時間�2025/5/10 12:24:35 查看 閱讀�26

LQG15HS1N0B02D 是一款由 Rohm 公司生產(chǎn)的功� MOSFET 芯片,采� LFPAK8 封裝形式。該芯片主要用于高效率電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)�(qū)動等�(yīng)用領(lǐng)�。其低導(dǎo)通電阻和出色的開�(guān)性能使得它在需要高效能、低功耗的電路�(shè)計中表現(xiàn)出色�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�16A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�1.3mΩ
  柵極電荷�29nC
  開關(guān)時間:ton=9ns,toff=17ns
  工作溫度范圍�-55℃至175�

特�

LQG15HS1N0B02D 具有超低�(dǎo)通電阻,能夠有效降低�(dǎo)通損耗并提高整體效率�
  其先�(jìn)的封裝技�(shù)提高了散熱性能,適合高溫環(huán)境下的應(yīng)��
  同時,該器件具備快速開�(guān)速度,可以減少開�(guān)損耗,在高頻操作條件下表現(xiàn)尤為突出�
  此外,內(nèi)� ESD 保護(hù)功能增強(qiáng)了芯片的可靠性和抗干擾能力�

�(yīng)�

這款功率 MOSFET 廣泛�(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載點電源 (POL)、同步整流電路以及小型電�(jī)�(qū)動等�(lǐng)��
  由于其低�(dǎo)通電阻和高效的開�(guān)性能,LQG15HS1N0B02D 也適用于高性能計算�(shè)�、通信基礎(chǔ)�(shè)施和工業(yè)自動化設(shè)備中的電源管理部��
  此外,它還能夠滿足電動汽車充電系�(tǒng)和太陽能逆變器等對高效率要求較高的應(yīng)用場景需求�

替代型號

LQG15HS1N0B01D
  LQG15HS1N0B03D

lqg15hs1n0b02d推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

lqg15hs1n0b02d參數(shù)

  • �(xiàn)有數(shù)�410�(xiàn)�
  • 價格1 : �0.79000剪切帶(CT�10,000 : �0.21840卷帶(TR�
  • 系列LQG15
  • 包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷帶
  • �(chǎn)品狀�(tài)在售
  • 類型多層
  • 材料 - 磁芯-
  • 電感1 nH
  • 容差±0.1nH
  • 額定電流(安培)1 A
  • 電流 - 飽和 (Isat�-
  • 屏蔽無屏�
  • DC 電阻 (DCR)70 毫歐最�
  • 不同頻率� Q �8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧�10GHz
  • 等級-
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 電感頻率 - 測試100 MHz
  • 特�-
  • 安裝類型表面貼裝�
  • 封裝/外殼0402�1005 公制�
  • 供應(yīng)商器件封�0402
  • 大小 / 尺寸0.039" � x 0.020" 寬(1.00mm x 0.50mm�
  • 高度 - 安裝(最大值)0.022"�0.55mm�