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LQG15HN2N0S02D 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 20:07:47 查看 閱讀：10

LQG15HN2N0S02D 是一款由羅姆（ROHM）生產(chǎn)的低導(dǎo)通電阻的 N 溝道功率 MOSFET，采用 HSOP8 封裝。該器件主要適用于需要高效開關(guān)和低功耗的應(yīng)用場(chǎng)景，例如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器以及負(fù)載開關(guān)等。其優(yōu)化的電氣特性使其在高頻工作條件下具有出色的性能表現(xiàn)。

參數(shù)

最大漏源電壓：30V
　　連續(xù)漏極電流：14A
　　導(dǎo)通電阻（典型值）：2.0mΩ
　　柵極電荷（典型值）：16nC
　　總熱阻（結(jié)到環(huán)境）：115°C/W
　　工作溫度范圍：-55°C 至 +175°C
　　封裝類型：HSOP8

特性

LQG15HN2N0S02D 的核心優(yōu)勢(shì)在于其超低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），這有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率。此外，它具備較高的電流承載能力和較寬的工作溫度范圍，確保了在極端條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
　　該產(chǎn)品還具有快速開關(guān)速度和低柵極電荷，從而降低了開關(guān)損耗，并在高頻應(yīng)用中表現(xiàn)出色。同時(shí)，其堅(jiān)固的封裝設(shè)計(jì)增強(qiáng)了散熱性能和可靠性，非常適合對(duì)能效要求較高的應(yīng)用環(huán)境。

應(yīng)用

這款功率 MOSFET 廣泛用于多種工業(yè)和消費(fèi)類電子設(shè)備中的關(guān)鍵電路，包括但不限于：
　　- 開關(guān)電源 (SMPS)
　　- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)和控制
　　- DC-DC 轉(zhuǎn)換器
　　- 電池管理系統(tǒng) (BMS)
　　- 高效負(fù)載開關(guān)
　　- 過流保護(hù)電路
　　由于其卓越的電氣特性和可靠性，LQG15HN2N0S02D 成為許多高性能應(yīng)用的理想選擇。

替代型號(hào)

LQG15HN2N0T02D

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lqg15hn2n0s02d參數(shù)

  • 標(biāo)準(zhǔn)包裝10,000
  • 類別電感器，線圈，扼流圈
  • 家庭固定式
  • 系列LQG15HN
  • 電感2nH
  • 電流300mA
  • 電流 - 飽和-
  • 電流 - 溫升-
  • 類型空氣芯體
  • 容差±0.3nH
  • 屏蔽無屏蔽
  • DC 電阻(DCR)最大 120 毫歐
  • Q因子@頻率8 @ 100MHz
  • 頻率 - 自諧振6GHz
  • 材料 - 芯體空氣
  • 封裝/外殼0402（1005 公制）
  • 安裝類型表面貼裝
  • 包裝帶卷 (TR)
  • 工作溫度-55°C ~ 125°C
  • 頻率 - 測(cè)試100MHz