LND4N60是一款N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),主要應用于高頻開關電源、DC-DC轉換器以及電機驅(qū)動等領域。該器件采用了先進的制造工�,具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,能夠有效提高系�(tǒng)的效率和�(wěn)定性�
這款MOSFET的工作電壓范圍較�,最大耐壓�600V,同時具備快速開關速度和較低的柵極電荷,非常適合于需要高效能和高可靠性的電路設計�
最大漏源電壓:600V
最大漏電流�4A
導通電阻:3.5Ω
柵極閾值電壓:4V
工作溫度范圍�-55℃至175�
總柵極電荷:35nC
LND4N60的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓:600V,適用于高壓應用�(huán)��
2. 低導通電阻:在典型工作條件下,導通電阻僅�3.5Ω,有助于降低功率損��
3. 快速開關性能:總柵極電荷�,能�?qū)崿F(xiàn)快速開�,減少開關損��
4. 寬工作溫度范圍:�-55℃到175�,適應極端溫度條件下的使用需��
5. �(wěn)定性高:具備良好的熱穩(wěn)定性和電氣特性,確保長時間運行的可靠��
6. 小封裝尺寸:適合緊湊型設計,方便布局與安��
LND4N60廣泛應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS):用于AC-DC和DC-DC轉換器中,提供高效的功率轉換�
2. 逆變器:在光伏逆變器和其他類型的逆變器中作為開關元件�
3. 電機�(qū)動:控制直流無刷電機或其他電機的啟動、停止和�(diào)��
4. 負載開關:用于保護電路免受過流或短路的影��
5. PFC電路:在功率因數(shù)校正電路中提升系�(tǒng)效率�
FQA4N60,
IRF840,
STP4NB60,
IXYS4N60E