LNBP10SP 時(shí)間：2025/5/29 22:33:19 閱讀：7

LNBP10SP 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高電子遷移率晶體管（HEMT），專為射頻和微波應(yīng)用設(shè)計(jì)。該器件具有高功率密度、高效率和寬頻帶的特點(diǎn)，能夠滿足現(xiàn)代通信系統(tǒng)對(duì)高性能的需求。LNBP10SP 適用于雷達(dá)、衛(wèi)星通信、5G基站等高頻應(yīng)用場(chǎng)景。

參數(shù)

工作頻率：DC 至 18 GHz
　　輸出功率：40 W（典型值）
　　增益：12 dB（典型值）
　　效率：60%（典型值）
　　供電電壓：28 V
　　靜態(tài)電流：3.5 A（典型值）
　　封裝形式：陶瓷氣密封裝
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C

特性

LNBP10SP 使用先進(jìn)的 GaN-on-SiC 技術(shù)制造，提供卓越的射頻性能。其高頻段支持使其非常適合用于毫米波通信領(lǐng)域。
　　GaN 材料的高擊穿電壓特性使得 LNBP10SP 能夠在高功率下穩(wěn)定運(yùn)行，同時(shí)保持較高的能效。
　　該器件內(nèi)置匹配網(wǎng)絡(luò)，減少了外部元件需求，簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)流程。
　　此外，LNBP10SP 具備良好的線性度和穩(wěn)定性，能夠適應(yīng)復(fù)雜調(diào)制信號(hào)的需求。
　　通過(guò)優(yōu)化的熱管理設(shè)計(jì)，LNBP10SP 可以在高溫環(huán)境下長(zhǎng)期工作，保證系統(tǒng)的可靠性。

應(yīng)用

LNBP10SP 廣泛應(yīng)用于各種射頻和微波場(chǎng)景中，包括但不限于：
　　- 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施（如 5G 基站）
　　- 衛(wèi)星通信設(shè)備
　　- 軍用雷達(dá)系統(tǒng)
　　- 醫(yī)療成像設(shè)備
　　- 測(cè)試與測(cè)量?jī)x器
　　其高效率和寬帶支持能力，使它成為需要高性能放大器應(yīng)用的理想選擇。