LN1132P282MR-G 時(shí)間：2025/4/29 10:32:04 閱讀：29

LN1132P282MR-G 是一款由 ON Semiconductor 提供的雙極性晶體管 (BJT)，具體為 NPN 型號(hào)，主要用于信號(hào)放大和開關(guān)應(yīng)用。該器件采用了先進(jìn)的制造工藝，具有出色的高頻性能和低噪聲特性，適合于通信設(shè)備、音頻放大器和其他需要高性能晶體管的應(yīng)用場景。
　　該晶體管封裝形式為 SOT-23 小型表面貼裝封裝，能夠顯著節(jié)省電路板空間，同時(shí)具備良好的散熱性能。

參數(shù)

集電極-發(fā)射極擊穿電壓：40V
　　集電極電流：200mA
　　直流電流增益（hFE）：150（最小值），300（最大值）
　　功率耗散：360mW
　　工作溫度范圍：-55℃ 至 +150℃
　　存儲(chǔ)溫度范圍：-65℃ 至 +175℃
　　過渡頻率：300MHz

特性

LN1132P282MR-G 具有高增益和高頻響應(yīng)能力，其主要特點(diǎn)包括：
　　1. 高頻性能優(yōu)越，適用于射頻 (RF) 和高速開關(guān)應(yīng)用。
　　2. 低噪聲設(shè)計(jì)，非常適合音頻和通信系統(tǒng)的信號(hào)放大。
　　3. 緊湊的 SOT-23 封裝，可減少 PCB 占用面積并簡化設(shè)計(jì)。
　　4. 寬工作溫度范圍，確保在極端環(huán)境下的可靠性。
　　5. 符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保且滿足現(xiàn)代電子產(chǎn)品的合規(guī)要求。
　　由于這些優(yōu)點(diǎn)，該晶體管成為許多消費(fèi)類電子產(chǎn)品和工業(yè)控制領(lǐng)域的理想選擇。

應(yīng)用

LN1132P282MR-G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 音頻放大器中的前置放大級(jí)或驅(qū)動(dòng)級(jí)。
　　2. 通信設(shè)備中的信號(hào)調(diào)節(jié)與放大。
　　3. 開關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器中的小型開關(guān)元件。
　　4. 各種工業(yè)控制應(yīng)用中的信號(hào)處理和邏輯接口。
　　5. 便攜式電子設(shè)備中的低功耗電路設(shè)計(jì)。
　　6. 測試測量儀器中的精確電流源或電壓緩沖器。
　　這款晶體管憑借其高性能和靈活性，能夠適應(yīng)多種復(fù)雜的工作條件。