LMUN5314DW1T1G 是一款由 Texas Instruments(德州儀器)推出� N 灃道開關(guān) MOSFET,采用小尺寸封裝技�(shù)�(shè)�(jì),主要適用于高效率功率轉(zhuǎn)換和�(fù)載開�(guān)�(yīng)用。該器件具有低導(dǎo)通電�、快速開�(guān)速度和出色的熱性能,能夠在緊湊的設(shè)�(jì)中實(shí)�(xiàn)高效能表�(xiàn)�
� MOSFET 的典型應(yīng)用場(chǎng)景包括但不限� DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開�(guān)、多相電壓調(diào)節(jié)模塊 (VRM) 和其他需要高性能功率開關(guān)的領(lǐng)域�
類型:N-channel MOSFET
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):2.6 mΩ(最大�,Vgs=10V�(shí)�
漏源極耐壓(Vds):30 V
柵極閾值電壓(Vgs(th)):1.1 V(典型值)
連續(xù)漏極電流(Id):77 A
功耗:38W
封裝:DSBGA-8
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
LMUN5314DW1T1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),在 2.6 mΩ �(shí)可有效減少傳�(dǎo)損耗,提高系統(tǒng)效率�
2. 支持高頻率開�(guān)操作,能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)快速開�(guān)的需��
3. 小型封裝 DSBGA-8 提供卓越的熱性能和空間節(jié)省能�,適合緊湊型�(shè)�(jì)�
4. 高額定電流支持高�(dá) 77A 的連續(xù)漏極電流,適用于大功率應(yīng)��
5. 寬泛的工作溫度范圍(-55°C � +150°C�,使其能在各種嚴(yán)苛環(huán)境下�(wěn)定運(yùn)��
6. �(wěn)定的電氣特性和低柵極電� Qg,有助于降低開關(guān)損耗并提升整體效率�
� MOSFET 廣泛�(yīng)用于多�(gè)�(lǐng)域,例如�
1. 電源管理:用� DC-DC �(zhuǎn)換器、降�/升壓電路、反向電流保�(hù)等�
2. �(fù)載開�(guān):在筆記本電�、平板電腦、智能手�(jī)和其他便攜式�(shè)備中作為�(fù)載開�(guān)�
3. 多相 VRM:在服務(wù)�、圖形卡和其他高性能�(jì)算平�(tái)中提供高效的多相電壓�(diào)節(jié)�
4. 工業(yè)控制:如電機(jī)�(qū)�(dòng)、電池管理系�(tǒng)、LED �(qū)�(dòng)器等需要高效率和高可靠性的�(chǎng)��
LMUN5314DQ1T1G, LMUN5314DW2T1G