LMUN5114T1G 是一款由 Texas Instruments(德州儀器)推出的高性能 N 灃道�(kāi)�(guān) MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� SON(小外形�(wú)引腳),能夠有效節(jié)� PCB 空間并提高散熱性能�
該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流電路以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用中�
最大漏源電壓:30V
連續(xù)漏極電流�2.8A
�(dǎo)通電阻(Rds(on)):,在 Vgs=10V �(shí)�
柵極電荷�6nC(典型值)
總功耗:790mW
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:SON-4
LMUN5114T1G 具有以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以減少傳�(dǎo)損�,從而提升整體效��
2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷,可降低�(kāi)�(guān)損��
3. 小型封裝�(shè)�(jì)(SON-4),適合空間受限的應(yīng)用環(huán)��
4. 高電流承載能�,支持高�(dá) 2.8A 的連續(xù)漏極電流�
5. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�
LMUN5114T1G 可用于多種電子電路設(shè)�(jì),包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
2. 同步整流電路,以提高效率并降低熱量產(chǎn)��
3. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和管理�
4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于動(dòng)�(tài)控制不同�(fù)載的供電狀�(tài)�
5. 電池供電�(shè)備中的功率管理模��
6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和 LED �(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�
LMUN5114DBV, LMUN5114DKA