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LMUN5114T1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/12 21:49:48 查看 閱讀�21

LMUN5114T1G 是一款由 Texas Instruments(德州儀器)推出的高性能 N 灃道�(kāi)�(guān) MOSFET 功率晶體�。該器件采用先�(jìn)的工藝制造,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特�,適用于需要高效能功率�(zhuǎn)換的�(yīng)用場(chǎng)�。其封裝形式� SON(小外形�(wú)引腳),能夠有效節(jié)� PCB 空間并提高散熱性能�
  該器件廣泛應(yīng)用于 DC-DC �(zhuǎn)換器、負(fù)載開(kāi)�(guān)、同步整流電路以及電池供電設(shè)備等�(yīng)用中�

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流�2.8A
  �(dǎo)通電阻(Rds(on)):,在 Vgs=10V �(shí)�
  柵極電荷�6nC(典型值)
  總功耗:790mW
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:SON-4

特�

LMUN5114T1G 具有以下顯著特性:
  1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),可以減少傳�(dǎo)損�,從而提升整體效��
  2. 快速開(kāi)�(guān)速度,得益于其較小的柵極電荷,可降低�(kāi)�(guān)損��
  3. 小型封裝�(shè)�(jì)(SON-4),適合空間受限的應(yīng)用環(huán)��
  4. 高電流承載能�,支持高�(dá) 2.8A 的連續(xù)漏極電流�
  5. 寬工作溫度范�,確保在極端�(huán)境下仍能可靠�(yùn)��
  6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且易于集成到現(xiàn)代電子產(chǎn)品中�

�(yīng)�

LMUN5114T1G 可用于多種電子電路設(shè)�(jì),包括但不限于以下應(yīng)用場(chǎng)景:
  1. �(kāi)�(guān)模式電源(SMPS)中的功率轉(zhuǎn)換�
  2. 同步整流電路,以提高效率并降低熱量產(chǎn)��
  3. DC-DC �(zhuǎn)換器,用于電壓調(diào)節(jié)和管理�
  4. �(fù)載開(kāi)�(guān),用于動(dòng)�(tài)控制不同�(fù)載的供電狀�(tài)�
  5. 電池供電�(shè)備中的功率管理模��
  6. 電機(jī)�(qū)�(dòng)器和 LED �(qū)�(dòng)電路中的�(kāi)�(guān)元件�

替代型號(hào)

LMUN5114DBV, LMUN5114DKA

lmun5114t1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)