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LMUN2212LT1G 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 8:33:33 查看 閱讀�21

LMUN2212LT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率功率�(zhuǎn)換器件,屬于 TI(德州儀器)推出� LMU 系列�(chǎn)�。該芯片采用 QFN 封裝形式,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)速度的特�,適用于高頻 DC/DC �(zhuǎn)換器、電源適配器以及電信�(shè)備中的高效能電源管理�
  LMUN2212LT1G 的設(shè)計旨在提供更高的功率密度和更低的能量損耗,� GaN FET �(jié)�(gòu)顯著提升了系�(tǒng)性能,同時簡化了 PCB 布局和散熱設(shè)計�

參數(shù)

封裝:QFN-8
  �(dǎo)通電� (Rds(on))�150 mΩ
  電壓等級 (Vds)�200 V
  電流能力 (Id)�6 A
  柵極�(qū)動電� (Vgs)�6 V
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  輸入電容 (Ciss)�950 pF
  輸出電容 (Coss)�70 pF
  反向傳輸電容 (Crss)�45 pF
  開關(guān)頻率:最高支� 2 MHz

特�

LMUN2212LT1G 具備以下主要特性:
  1. 基于先進的氮化鎵技�(shù),能�?qū)崿F(xiàn)極低的開�(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗�
  2. 高速開�(guān)能力,支持高� 2 MHz 的工作頻�,從而減少磁性元件的尺寸并提高功率密度�
  3. �(nèi)置保護功�,包括過流保護和熱關(guān)斷機�,確保在異常條件下的可靠��
  4. 小型� QFN-8 封裝�(shè)�,適合空間受限的�(yīng)用場景�
  5. 極低的輸入和輸出電容�,優(yōu)化動�(tài)性能并降低開�(guān)節(jié)點振��
  6. 廣泛的工作溫度范�,適�(yīng)多種惡劣�(huán)境需求�
  這些特性使其成為高效率、緊湊型電源解決方案的理想選擇�

�(yīng)�

LMUN2212LT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 消費電子�(lǐng)域的快速充電器� USB-PD 適配��
  2. �(shù)�(jù)中心和通信�(shè)備中的高� DC/DC �(zhuǎn)換模塊�
  3. 工業(yè)自動化設(shè)備的開關(guān)電源單元�
  4. 筆記本電腦和其他便攜式電子產(chǎn)品的電源管理系統(tǒng)�
  5. 太陽能微逆變器以及其他需要高效率能量�(zhuǎn)換的場景�
  憑借其卓越的性能和可靠性,LMUN2212LT1G 在現(xiàn)代電力電子設(shè)計中扮演著重要角��

替代型號

LMG3411R030,
  LMG3422R030,
  GAN041-65WSA

lmun2212lt1g推薦供應(yīng)� 更多>

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