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LMG3410R150 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 9:26:28 查看 閱讀�32

LMG3410R150是德州儀器(TI)推出的一款基于氮化鎵(GaN)技術的場效應晶體管(FET�,它將驅動器和保護電路集成到一個器件中,從而簡化了設計并提高了效率。該器件采用QFN封裝形式,適用于高頻率、高效率的應用場�,例如服務器電源、通信電源、DC-DC轉換器以及無線充電等�
  LMG3410R150的工作電壓范圍廣,能夠提供高效的開關性能,并且具備短路保護和過溫保護等功能,有助于提高系�(tǒng)的可靠性和�(wěn)定��

參數(shù)

額定電壓�600V
  導通電阻:150mΩ
  最大工作結溫:175�
  柵極電荷�20nC
  連續(xù)漏極電流�15A
  封裝形式:QFN-8
  工作溫度范圍�-55� � 150�

特�

LMG3410R150采用了增強型氮化鎵技�,具備超低的導通電阻和快速的開關速度,顯著降低了功率損�,提升了系統(tǒng)效率�
  該器件內置了完善的保護功�,包括過流保�、短路保護和過溫保護�,確保在極端條件下的可靠��
  其緊湊的QFN封裝形式減少了寄生電感,使得高頻應用中的性能表現(xiàn)更加�(yōu)��
  此外,LMG3410R150支持高達幾兆赫茲的開關頻�,非常適合對效率和體積要求較高的應用�(huán)境�
  整體而言,這款芯片以其高效�、小尺寸和高可靠�,成為現(xiàn)代電力電子應用的理想選擇�

應用

LMG3410R150主要應用于需要高效率和高頻工作的場景,具體包括:
  1. �(shù)�(jù)中心和服務器的電源模��
  2. 通信設備中的功率轉換電路�
  3. 高效DC-DC轉換器設��
  4. 消費電子�(chǎn)品中的無線充電發(fā)射端�
  5. 太陽能逆變器和其他新能源相關設��
  由于其出色的電氣特性和可靠�,LMG3410R150在各類工�(yè)和消費類應用中均有廣泛應用潛��

替代型號

LMG3411R070
  LMG3410R070
  LMG3411R150

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