LMBT35200MT1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,專為高頻、高效能�(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件具有極低的導(dǎo)通電阻和快速開�(guān)性能,適合用于高頻功率轉(zhuǎn)換器、射頻放大器和其他高性能電路��
這款芯片采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠有效提升散熱性能并降低寄生參�(shù)的影�,從而提高整體系�(tǒng)效率。其出色的性能使其成為傳統(tǒng)硅基晶體管的理想替代方案�
型號:LMBT35200MT1G
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體管(eGaN FET�
最大漏源電壓:600V
連續(xù)漏極電流�20A
�(dǎo)通電阻(典型值)�45mΩ
柵極電荷�90nC
反向恢復(fù)電荷:無(由于是單極性器件)
工作溫度范圍�-55� � +175�
封裝形式:TO-247-4L
LMBT35200MT1G 的主要特性包括:
1. 極高的開�(guān)速度,可顯著降低開關(guān)損��
2. 氮化鎵材料帶來了�(yōu)異的熱穩(wěn)定性和更高的功率密��
3. 集成了柵極驅(qū)�(dòng)保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件的魯棒��
4. 低寄生電感封裝,�(yōu)化了高頻性能�
5. 支持硬開�(guān)和軟開關(guān)�?fù)?,適用于多種�(yīng)用場��
6. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保且可靠性高�
這些特性使� LMBT35200MT1G 成為高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器、無線充電設(shè)�、電�(jī)�(qū)�(dòng)器以及太陽能逆變器等�(yīng)用的理想選擇�
LMBT35200MT1G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 AC-DC � DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 射頻功率放大器�
3. 太陽能微逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)�
4. 電動(dòng)汽車充電�(shè)備�
5. 工業(yè)電源和電�(jī)�(qū)�(dòng)�
6. 無線充電和能量傳輸系�(tǒng)�
由于其高效的開關(guān)特性和高溫�(wěn)定�,該器件在需要高功率密度和高效率的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
LMBT34200MT1G, LMG3410R070