LM5Z30VT1G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效率同步降壓 DC-DC �(zhuǎn)換器。該芯片具有高頻�(kāi)�(guān)能力,能夠顯著提高電源轉(zhuǎn)換效�,同�(shí)減小解決方案尺寸。其�(nèi)部集成了高側(cè)和低�(cè) GaN �(chǎng)效應(yīng)晶體� (FET),并采用專有的驅(qū)�(dòng)技�(shù)以優(yōu)化開(kāi)�(guān)性能�
LM5Z30VT1G 的輸入電壓范圍為 4.5V � 60V,輸出電壓可通過(guò)外部電阻�(shè)置在 0.8V � 36V 之間。該器件非常適合工業(yè)、汽車和通信系統(tǒng)中的多種�(yīng)用,包括分布式電源架�(gòu)、中間總線轉(zhuǎn)換以� LED �(qū)�(dòng)��
輸入電壓范圍�4.5V - 60V
輸出電壓范圍�0.8V - 36V
最大輸出電流:30A
工作頻率�200kHz - 2MHz
封裝形式:HTSSOP-20
工作溫度范圍�-40°C � +125°C
效率(典型值)�97%
LM5Z30VT1G 具有以下主要特性:
1. �(nèi)置高性能 GaN FET,支持高�(dá) 2MHz 的開(kāi)�(guān)頻率,從而減少磁性元件的尺寸和成本�
2. 高達(dá) 97% 的轉(zhuǎn)換效�,在高溫�(huán)境下也能保持卓越性能�
3. 支持可調(diào)軟啟�(dòng)功能,避免上電時(shí)的沖擊電流�
4. �(nèi)置全面的保護(hù)功能,包括過(guò)流保�(hù) (OCP)、短路保�(hù) (SCP) 和過(guò)溫保�(hù) (OTP)。使能控制和電源良好指示功能�
6. �(jiǎn)化的外部組件�(shè)�(jì),降低了整體 BOM 成本�
7. 封裝緊湊,適用于空間受限的應(yīng)用場(chǎng)��
LM5Z30VT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 工業(yè)�(shè)備中的分布式電源系統(tǒng)�
2. 汽車電子,如信息娛樂(lè)系統(tǒng)� ADAS(高�(jí)駕駛輔助系統(tǒng)��
3. 通信基礎(chǔ)�(shè)施,包括基站電源和路由器�
4. 高亮� LED �(qū)�(dòng),例如廣告屏和照��
5. �(yī)療設(shè)備和�(cè)試測(cè)�?jī)x��
6. 筆記本電腦和其他便攜式電子設(shè)備的高效電源適配��
LM5117MG-SP, LM5118MSE-NOPB