LM4132系列精密電壓基準的性能可與最佳的激光微�(diào)雙極性基準相媲美,但是采用了�(jīng)濟高效的CMOS技��
這一突破的關鍵是使用EEPROM寄存器來校正CMOS帶隙架構上的曲率,溫度系�(shù)(tempco)和精度,從而允許封裝級編程克服組裝偏移�
在將芯片組裝到塑料封裝中期間,電壓精度和溫度系數(shù)的變化限制了用激光技術修整的基準的精��
與其他LDO參考不同,LM4132可以提供高達20 mA的電�,并且不需要輸出電容器或緩沖放大器。這些�(yōu)勢與SOT-23封裝一起對于空間至關重要的應用非常重要�
串聯(lián)基準電壓源比并聯(lián)基準電壓源具有更低的功�,因為它們在空載條件下不必空載最大可能的負載電流�
這種�(yōu)�,低靜態(tài)電流�60 μA)和低壓差(400 mV)使得LM4132非常適合電池供電的解決方案�
LM4132具有五個等級(A,B,C,D和E�,以提供更大的靈活�。最佳等級的設備(A)的初始精度�0.05%,指定的溫度系�(shù)�10 ppm /°C或更�,而最
REF34-Q1-該器件與被比較器件具有相同的功能,但不是引腳等效�,并且可能不是參�(shù)等效�。低溫漂,低噪聲,高初始精度等級
汽車應用合格
AEC-Q100符合以下結果�
器件溫度等級1:�40°C�+ 125°C的環(huán)境工作溫度范�
設備HBM ESD分類2�
輸出初始電壓精度�0.05�
低溫系數(shù)�10 ppm /°C
低電源電流:60 μA
使能引腳,允�3μA的關斷模�
20mA輸出電流
電壓選項�1.8 V�2.048 V�2.5 V�3 V�3.3 V�4.096 V
提供自定義電壓選項(1.8 V�4.096 V�
V IN�10 mA時V REF + 400 mV�5.5 V的范�
用低ESR陶瓷電容器穩(wěn)�