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LM2904DR 發(fā)布時間 時間�2024/7/17 14:57:44 查看 閱讀�605

LM2904DR是一款雙通道�(yùn)算放大器,由德州儀器(Texas Instruments)公司生�(chǎn)。它是LM2904系列的一�,采用雙電源供電,工作電壓范圍為3V�32V,具有低輸入偏置電流、低輸入偏置電壓和低輸入偏移電流等特�(diǎn)�
  LM2904DR具有較高的增益帶寬積,可以在高頻率下工作,同時還具有高輸出電流能�,可以驅(qū)動多種負(fù)�。它的輸入阻抗較�,輸出阻抗較�,可以滿足多種應(yīng)用需��
  此外,LM2904DR還具有過載保�(hù)功能,當(dāng)輸出電流超過額定值時,它會自動降低輸出電�,以保護(hù)電路和負(fù)載。它的封裝形式為SOIC-8(小輪廓集成電路�,方便與其他電路集成�
  LM2904DR廣泛�(yīng)用于音頻放大、信號放大、比較器、振蕩器、過濾器等電路中。它的低功�、高精度和穩(wěn)定性使得它成為眾多電子系統(tǒng)中不可或缺的部分�

參數(shù)和指�(biāo)

工作電壓范圍�3V�32V
  靜態(tài)輸入偏置電流�0.5nA
  靜態(tài)輸入偏置電壓�2mV
  靜態(tài)輸入偏移電流�20nA
  大電流輸出:20mA
  工作溫度范圍�-40℃至+105�
  輸入電壓范圍�-0.3V至VCC+0.3V
  工作電流�0.7mA
  增益帶寬積:1.3MHz
  輸出短路電流�36mA
  封裝形式:SOIC-8

性能

輸入電壓范圍廣泛
  LM2904DR的輸入電壓范圍為-0.3V至VCC+0.3V,可以適�(yīng)多種輸入信號。同�,它的輸入阻抗較高,可以減小對輸入信號的干擾,提高信號質(zhì)��
  低功�
  LM2904DR的工作電流僅�0.7mA,具有較低的功�,可以節(jié)約電源能�。同�,它的低功耗特性也有利于減少散熱問題,提高系統(tǒng)�(wěn)定��
  高增益帶寬積
  LM2904DR的增益帶寬積�1.3MHz,具有較高的放大能力。它可以在高頻率下工�,適用于多種信號放大和濾波應(yīng)用�
  高輸出電流能�
  LM2904DR的大電流輸出�20mA,具有較高的�(qū)動能�。它可以�(qū)動多種負(fù)�,如電阻、電容和電感等元�。同時,它的輸出阻抗較低,可以減小輸出信號的失真和干��
  過載保護(hù)功能
  LM2904DR具有過載保護(hù)功能,當(dāng)輸出電流超過額定值時,它會自動降低輸出電�,以保護(hù)電路和負(fù)載。這一特性有助于提高系統(tǒng)的可靠性和�(wěn)定性�
  小封裝形�
  LM2904DR的封裝形式為SOIC-8,具有小輪廓集成電路的優(yōu)�(diǎn)。它可以與其他電路集�,節(jié)省空間和成本。同�,它的引腳布局合理,易于焊接和組裝�

工藝流程

LM2904DR采用CMOS工藝流程生產(chǎn),具有低功�、高集成度和高可靠性等特點(diǎn)。CMOS工藝流程可以�(shí)�(xiàn)多晶硅技�(shù),制造出高性能的半�(dǎo)體器��
  具體工藝流程如下�
  晶圓制備:通過化學(xué)氣相沉積(CVD)將多晶硅沉積在單晶硅片上,制備出晶��
  光刻:使用光刻機(jī)將芯片的電路圖案�(zhuǎn)移到晶圓��
  電子束刻蝕:使用電子束刻蝕機(jī)將光刻圖案轉(zhuǎn)移到晶圓�,形成電��
  氧化:對芯片�(jìn)行氧化處�,形成絕緣層�
  金屬沉積:將金屬沉積在芯片表面,形成�(dǎo)�、電極等�
  清洗:將芯片�(jìn)行清洗和檢測,去除殘留物和缺陷�
  封裝:將芯片�(jìn)行封�,形成成��

�(yīng)�

音頻放大
  可用于音頻放大電路中,它的低噪聲、低失真和高增益帶寬積等特點(diǎn)可以提高音頻信號的質(zhì)量和清晰度�
  信號放大
  可用于多種信號放大電路中,如傳感器信號放�、放大器前置放大�。它的高增益帶寬積和低噪聲特性可以提高信號的靈敏度和�(zhǔn)確性�
  比較�
  可用作比較器,它的輸入阻抗高、輸出阻抗低,可以快速響�(yīng)輸入信號變化,實(shí)�(xiàn)高精度比��
  振蕩�
  可用作振蕩器的關(guān)鍵部�,它的高增益帶寬積和�(wěn)定性可以保證振蕩器的頻率和�(wěn)定��
  過濾�
  可用于多種過濾器電路�,如低通濾波器、高通濾波器、帶通濾波器�。它的高增益帶寬積和低失真特性可以保證過濾器的效果和�(zhì)��

注意事項

功能電源電壓不得超過36V,輸入電壓不得超過V+和V-的電壓范��
  在使用時,應(yīng)注意靜電保護(hù),避免人體靜電對芯片的損壞�
  在連接芯片�,應(yīng)注意連接正確的引�,避免連接錯誤引起短路或其他問��
  在使用時,應(yīng)根據(jù)芯片的數(shù)�(jù)手冊,合理選擇電阻和電容等元器件,以�(dá)到最佳的電路性能�
  在工作時,應(yīng)注意芯片的最大功率規(guī)格,防止過熱和損��
  在使用時,應(yīng)避免過度震動和機(jī)械沖�,避免芯片損壞或失效�
  如果需要長時間使用,應(yīng)注意散熱和溫�,避免過熱損壞芯��

lm2904dr推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號
  • 詢價

lm2904dr資料 更多>

  • 型號
  • 描述
  • 品牌
  • 閱覽下載

lm2904dr參數(shù)

  • �(biāo)�(zhǔn)包裝1
  • 類別集成電路 (IC)
  • 家庭Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
  • 系列Trophy
  • 放大器類�通用
  • 電路�(shù)2
  • 輸出類型-
  • �(zhuǎn)換速率0.3 V/µs
  • 增益帶寬�700kHz
  • -3db帶寬-
  • 電流 - 輸入偏壓20nA
  • 電壓 - 輸入偏移3000µV
  • 電流 - 電源1mA
  • 電流 - 輸出 / 通道30mA
  • 電壓 - 電源,單�/雙路(±)3 V ~ 26 V�±1.5 V ~ 13 V
  • 工作溫度-40°C ~ 125°C
  • 安裝類型表面貼裝
  • 封裝/外殼8-SOIC�0.154"�3.90mm 寬)
  • 供應(yīng)商設(shè)備封�8-SOIC
  • 包裝Digi-Reel®
  • 其它名稱LM2904DRDKR