LGT67F-S1-2-K3-20 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具備低寄生電感、高開關(guān)速度和高效率等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、射頻放大器以及新能源領(lǐng)��
這款 GaN 器件能夠顯著提升系統(tǒng)性能,減少能量損耗,并支持更高的工作頻率,從而減小整體系�(tǒng)的尺寸和成本�
型號(hào):LGT67F-S1-2-K3-20
類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體� (eGaN FET)
額定電壓�650 V
額定電流�20 A
�(dǎo)通電阻:35 mΩ(典型�,@Vgs=10V�
柵極電荷�140 nC(最大值)
反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于�(nèi)部結(jié)�(gòu)不涉及體二極管)
工作溫度范圍�-55°C � +150°C
封裝形式:TO-247-4L
LGT67F-S1-2-K3-20 的主要特性包括:
1. 高擊穿電壓能�,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
2. 極低的導(dǎo)通電阻,有效降低傳導(dǎo)損��
3. 快速開�(guān)特�,支� MHz �(jí)的工作頻��
4. �(nèi)置零反向恢復(fù)電荷的開�(guān)節(jié)�(diǎn),�(jìn)一步提高效��
5. 提供�(wěn)健的短路保護(hù)功能�
6. 超低柵極電荷�(shè)�(jì),簡化驅(qū)�(dòng)電路并減少驅(qū)�(dòng)功耗�
7. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端條件下的�(yùn)行需��
8. 封裝兼容傳統(tǒng) MOSFET,便于現(xiàn)有設(shè)�(jì)的升�(jí)替換�
該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域涵蓋:
1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,例如服�(wù)器電源和工業(yè)電源�
2. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
3. 太陽能逆變器的核心組件�
4. 電動(dòng)車輛(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)的車載充電器(OBC)�
5. 消費(fèi)類快充適配器�
6. 射頻功率放大器以及其他高頻應(yīng)��
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