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LGT67F-S1-2-K3-20 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/7 9:31:57 查看 閱讀�24

LGT67F-S1-2-K3-20 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�,適用于高頻和高功率�(yīng)用場�。該器件采用先�(jìn)的封裝工�,具備低寄生電感、高開關(guān)速度和高效率等特�(diǎn),廣泛應(yīng)用于電源管理、射頻放大器以及新能源領(lǐng)��
  這款 GaN 器件能夠顯著提升系統(tǒng)性能,減少能量損耗,并支持更高的工作頻率,從而減小整體系�(tǒng)的尺寸和成本�

參數(shù)

型號(hào):LGT67F-S1-2-K3-20
  類型:增�(qiáng)型氮化鎵場效�(yīng)晶體� (eGaN FET)
  額定電壓�650 V
  額定電流�20 A
  �(dǎo)通電阻:35 mΩ(典型�,@Vgs=10V�
  柵極電荷�140 nC(最大值)
  反向恢復(fù)�(shí)間:無(由于�(nèi)部結(jié)�(gòu)不涉及體二極管)
  工作溫度范圍�-55°C � +150°C
  封裝形式:TO-247-4L

特�

LGT67F-S1-2-K3-20 的主要特性包括:
  1. 高擊穿電壓能�,適合高壓應(yīng)用環(huán)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻,有效降低傳導(dǎo)損��
  3. 快速開�(guān)特�,支� MHz �(jí)的工作頻��
  4. �(nèi)置零反向恢復(fù)電荷的開�(guān)節(jié)�(diǎn),�(jìn)一步提高效��
  5. 提供�(wěn)健的短路保護(hù)功能�
  6. 超低柵極電荷�(shè)�(jì),簡化驅(qū)�(dòng)電路并減少驅(qū)�(dòng)功耗�
  7. 工作溫度范圍寬廣,適�(yīng)多種極端條件下的�(yùn)行需��
  8. 封裝兼容傳統(tǒng) MOSFET,便于現(xiàn)有設(shè)�(jì)的升�(jí)替換�

�(yīng)�

該芯片的主要�(yīng)用領(lǐng)域涵蓋:
  1. 開關(guān)模式電源(SMPS�,例如服�(wù)器電源和工業(yè)電源�
  2. 通信基礎(chǔ)�(shè)施中� DC-DC �(zhuǎn)換器�
  3. 太陽能逆變器的核心組件�
  4. 電動(dòng)車輛(EV)和混合�(dòng)力汽車(HEV)的車載充電器(OBC)�
  5. 消費(fèi)類快充適配器�
  6. 射頻功率放大器以及其他高頻應(yīng)��

替代型號(hào)

LGT67F-S1-2-K3-15
  LGT67F-S1-2-K3-25

lgt67f-s1-2-k3-20推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)