LGT67F-R2-3-N3-20是一款高性能的功率MOSFET芯片,廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)、逆變器等�(chǎng)�。該器件采用先�(jìn)的制造工�,具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特性,能夠在高頻工作條件下保持高效�。同�(shí),其封裝形式�(jīng)過優(yōu)化設(shè)�(jì),能夠有效提升散熱性能,適用于高功率密度的�(shè)�(jì)需求�
這款功率MOSFET采用了N溝道技�(shù),通過增強(qiáng)型結(jié)�(gòu)�(shí)�(xiàn)�(duì)電流的精確控制,從而在眾多需要大電流處理的應(yīng)用中表現(xiàn)出色�
型號(hào):LGT67F-R2-3-N3-20
類型:N溝道功率MOSFET
最大漏源電�(Vds)�650V
最大柵源電�(Vgs):�20V
連續(xù)漏極電流(Id)�24A
�(dǎo)通電�(Rds(on))�0.12Ω(典型值,@Vgs=10V�
總柵極電�(Qg)�95nC
開關(guān)速度:快�
封裝形式:TO-247
LGT67F-R2-3-N3-20的核心特性在于其低導(dǎo)通電阻和高耐壓能力,使得它在高壓應(yīng)用場(chǎng)景下依然可以保持較低的功��
1. 高擊穿電�(650V),確保了器件在高壓環(huán)境下的可靠性�
2. �(dǎo)通電阻僅�0.12Ω,顯著降低了傳導(dǎo)損�,提高了整體效率�
3. 快速開�(guān)特�,適合高頻應(yīng)用場(chǎng)�,減少開�(guān)損��
4. �(nèi)置ESD保護(hù)電路,增�(qiáng)了芯片的抗靜電能��
5. 熱性能�(yōu)�,封裝設(shè)�(jì)支持高效的熱量散�(fā)�
這些特性共同作�,使LGT67F-R2-3-N3-20成為各類工業(yè)和消�(fèi)類電子設(shè)備的理想選擇�
該芯片主要應(yīng)用于需要高電壓和大電流處理能力的場(chǎng)�,包括但不限于以下領(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS),用于AC-DC�(zhuǎn)換和�(wěn)壓輸��
2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)系統(tǒng),如電動(dòng)車窗、風(fēng)�、水泵等電機(jī)控制�
3. 不間斷電�(UPS)中的逆變電路�
4. 工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備中的負(fù)載切��
5. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)備�
LGT67F-R2-3-N3-20憑借其出色的電氣特性和可靠�,為這些�(yīng)用提供了�(wěn)定且高效的解決方��
LGT67F-R2-3-N3-22, IRFP460, STP12NK65Z