LGE6551-DA2是一款高性能的功率MOSFET晶體�,主要用于開關電源、電機驅動和DC-DC轉換器等應用。該器件采用TO-220封裝形式,具有低導通電阻和高電流處理能力的特點,適用于需要高效能和穩(wěn)定性的電路設計�
這款MOSFET屬于N溝道增強型器�,能夠顯著降低功耗并提高系統(tǒng)效率。其出色的熱性能和電氣特性使其成為許多工�(yè)和消費電子應用的理想選擇�
最大漏源電壓:65V
連續(xù)漏極電流�45A
導通電阻:1.8mΩ
柵極電荷�39nC
總功耗:175W
工作結溫范圍�-55� to +175�
LGE6551-DA2的核心優(yōu)勢在于其低導通電阻和高電流承載能力。這使得器件在高頻開關應用中表�(xiàn)出較低的傳導損�,從而提升了整體系統(tǒng)的效�。此外,它還具備快速開關速度,減少了開關損耗�
其封裝形式TO-220提供了良好的散熱性能,適合長時間在高溫環(huán)境下運行。同�,該器件內置了ESD保護功能,提高了可靠��
由于采用了先進的制造工藝,LGE6551-DA2在動�(tài)和靜�(tài)性能上都表現(xiàn)�(yōu)�,能夠在惡劣的工作條件下保持�(wěn)定�。這對于要求高可靠性的應用場景尤為重要�
LGE6551-DA2廣泛應用于各種電力電子領�,包括但不限于:
- 開關電源(SMPS)
- 電機驅動與控�
- DC-DC轉換�
- 工業(yè)自動化設�
- 電動工具
- 汽車電子系統(tǒng)
憑借其大電流處理能力和低導通電�,LGE6551-DA2非常適合用作同步整流器或負載開關,在這些應用中可有效減少能量損失并提升效��
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