LGE5812B是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。其設計采用了先進的制造工�,能夠提供低導通電阻和高效率的能量�(zhuǎn)�,同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性�
型號:LGE5812B
類型:N溝道增強型MOSFET
最大漏源電�(Vds)�60V
最大柵源電�(Vgs):�20V
最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
導通電�(Rds(on))�4mΩ
功�(PD)�130W
工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
封裝形式:TO-220
LGE5812B具有以下關鍵特性:
1. 極低的導通電�,可有效減少能量損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
2. 高速開關能力,適合高頻應用場合�
3. 出色的熱性能,確保在高負載條件下仍能保持�(wěn)定運��
4. 強大的抗靜電能力(ESD),提高了器件的可靠性和使用壽命�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�
LGE5812B主要應用于以下領域:
1. 開關電源(SMPS)中的主開關管�
2. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器的設計與實現(xiàn)�
3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動控制�
4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
5. 充電器和適配器等便攜式電子設備的功率�(zhuǎn)換部��
IRF540N
STP55NF06
FDP5550