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LGE5812B 發(fā)布時間 時間�2025/5/8 15:05:35 查看 閱讀�28

LGE5812B是一款高性能的功率MOSFET晶體�,廣泛應用于開關電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機�(qū)動等場景。其設計采用了先進的制造工�,能夠提供低導通電阻和高效率的能量�(zhuǎn)�,同時具備出色的熱穩(wěn)定性和可靠性�

參數(shù)

型號:LGE5812B
  類型:N溝道增強型MOSFET
  最大漏源電�(Vds)�60V
  最大柵源電�(Vgs):�20V
  最大連續(xù)漏極電流(Id)�40A
  導通電�(Rds(on))�4mΩ
  功�(PD)�130W
  工作溫度范圍(Tj)�-55℃至+175�
  封裝形式:TO-220

特�

LGE5812B具有以下關鍵特性:
  1. 極低的導通電�,可有效減少能量損耗并提升整體系統(tǒng)效率�
  2. 高速開關能力,適合高頻應用場合�
  3. 出色的熱性能,確保在高負載條件下仍能保持�(wěn)定運��
  4. 強大的抗靜電能力(ESD),提高了器件的可靠性和使用壽命�
  5. 符合RoHS標準,環(huán)保且安全�

應用

LGE5812B主要應用于以下領域:
  1. 開關電源(SMPS)中的主開關管�
  2. 各種DC-DC�(zhuǎn)換器的設計與實現(xiàn)�
  3. 電動工具及家用電器中的電機驅(qū)動控制�
  4. 工業(yè)自動化設備中的功率管理模��
  5. 充電器和適配器等便攜式電子設備的功率�(zhuǎn)換部��

替代型號

IRF540N
  STP55NF06
  FDP5550

lge5812b推薦供應� 更多>

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