時間：2025/5/31 0:06:22
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LGC26D105MAT2S1是一款由ON Semiconductor（安森美半導(dǎo)體）生產(chǎn)的高壓MOSFET晶體管，采用SuperFET II技術(shù)。該器件具有低導(dǎo)通電阻、高效率和出色的開關(guān)性能，廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域，如DC-DC轉(zhuǎn)換器、LED驅(qū)動器和適配器等。
這款MOSFET為N溝道增強型器件，其設(shè)計目標(biāo)是實現(xiàn)更高的能效和更小的解決方案尺寸。通過優(yōu)化的制造工藝，它在高頻開關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色，并且能夠支持較高的負載電流。
型號：LGC26D105MAT2S1
封裝：TO-252(DPAK)
Vds（漏源電壓）：100V
Rds(on)（導(dǎo)通電阻，典型值）：4.8mΩ
Id（持續(xù)漏極電流）：93A
Qg（總柵極電荷）：26nC
EAS（雪崩能量）：79mJ
fT（特征頻率）：3.5MHz
Vgs(th)（柵極閾值電壓）：2.5V
LGC26D105MAT2S1的關(guān)鍵特性包括：
1. 極低的導(dǎo)通電阻（Rds(on)），確保了較低的傳導(dǎo)損耗，從而提高了整體效率。
2. 超級結(jié)技術(shù)的應(yīng)用，使其能夠在高頻工作條件下保持高效的開關(guān)性能。
3. 高雪崩能量能力，增強了器件的魯棒性和可靠性。
4. 小型化的DPAK封裝，有助于減少PCB空間占用。
5. 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，滿足環(huán)保要求。
6. 可靠的電氣特性和熱性能，適合各種嚴苛的工作環(huán)境。
LGC26D105MAT2S1適用于多種電力電子應(yīng)用，包括但不限于以下場景：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS）中的功率轉(zhuǎn)換級。
2. 工業(yè)控制設(shè)備中的電機驅(qū)動電路。
3. LED照明系統(tǒng)的恒流驅(qū)動。
4. 通信電源及服務(wù)器電源模塊。
5. 電池充電器和適配器。
6. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護電路。
LGC26D085MAW2S1, LGC26D105MAW2S1
