LFSN25N29C1897BAH-983 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT�。該器件采用先�(jìn)的封裝工藝,具有出色的高頻和高功率性能,適用于射頻功率放大器、通信系統(tǒng)以及其他高頻�(yīng)�。此型號(hào)�(shè)�(jì)旨在提供高效能與高可靠性的�(jié)�,特別適合需要高性能和小尺寸的應(yīng)用場(chǎng)��
類型:增�(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�
漏源極電�(Vds)�29V
柵源極電�(Vgs):�6V
連續(xù)漏極電流(Id)�25A
輸出功率�30W
�(dǎo)通電�(Rds(on))�18mΩ
�(jié)溫范圍:-55℃至+175�
封裝形式:TO-263
1. 采用氮化鎵(GaN)半�(dǎo)體技�(shù),具備更高的功率密度和效��
2. 高開�(guān)速度和低�(dǎo)通電阻,確保較低的傳�(dǎo)損��
3. �(yōu)化的熱管理設(shè)�(jì),支持長(zhǎng)�(shí)間穩(wěn)定運(yùn)��
4. 出色的電氣性能使其非常適合于高�、高功率�(yīng)��
5. 小型化設(shè)�(jì)減少整體解決方案的體�,便于系�(tǒng)集成�
6. 符合RoHS�(biāo)�(zhǔn),綠色環(huán)��
1. 射頻功率放大�
2. 無線通信基站
3. 雷達(dá)系統(tǒng)
4. �(yī)療成像設(shè)�
5. 工業(yè)加熱與等離子體生�
6. 高效DC-DC�(zhuǎn)換器
7. 能量收集及逆變器系�(tǒng)