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LFSN25N18C1842BAH-796 發(fā)布時間 時間�2025/5/26 18:10:54 查看 閱讀�15

LFSN25N18C1842BAH-796 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高電子遷移率晶體管(HEMT),適用于高�、高效能功率�(zhuǎn)換應(yīng)用。該器件采用增強(qiáng)型結(jié)�(gòu),支持高電壓操作,同時具備低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�,廣泛應(yīng)用于電源管理、工�(yè)�(qū)動和通信系統(tǒng)��

參數(shù)

額定電壓�180V
  連續(xù)漏極電流�25A
  �(dǎo)通電阻:1.8mΩ
  柵極電荷�30nC
  輸入電容�1200pF
  反向恢復(fù)時間:無(由于其單極性結(jié)�(gòu)�
  封裝形式:TO-247-4

特�

LFSN25N18C1842BAH-796 的核心優(yōu)勢在于其利用了先�(jìn)的氮化鎵材料,這種材料具有寬禁帶、高擊穿場強(qiáng)和高載流子遷移率等特��
  1. 高效率:得益于超低導(dǎo)通電阻和極小的開�(guān)損�,能夠在高頻下實�(xiàn)更高的能量轉(zhuǎn)換效率�
  2. 快速開�(guān):GaN 技�(shù)帶來了更快的開關(guān)速度,使得它可以用于高頻電路�(shè)�,從而減小磁性元件體積并降低整體系統(tǒng)成本�
  3. 熱性能�(yōu)異:器件�(nèi)部采用了高效的散熱路徑設(shè)�,確保在高功率密度應(yīng)用場景下的穩(wěn)定運��
  4. 易于�(qū)動:與傳�(tǒng)的硅� MOSFET 相比,這款 GaN HEMT 的柵極驅(qū)動要求更加簡單且兼容性更�(qiáng),�(jìn)一步降低了�(shè)計復(fù)雜度�
  此外,該�(chǎn)品還通過了多項可靠性測�,包括高溫存�、濕度偏置和反復(fù)雪崩能力等,確保其長期使用的�(wěn)定��

�(yīng)�

LFSN25N18C1842BAH-796 主要�(yīng)用于對效率和功率密度有極高要求的場景�
  1. �(shù)�(jù)中心服務(wù)器電源:
   - 提供高效功率�(zhuǎn)�,滿足大功率需求�
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)動:
   - 實現(xiàn)精確控制和快速響�(yīng),提升設(shè)備性能�
  3. 光伏逆變器:
   - 增強(qiáng)最大功率點跟蹤(MPPT)效率,�(yōu)化太陽能�(fā)電系�(tǒng)的輸��
  4. 電動車車載充電器�
   - 減少熱量�(chǎn)生并縮小整體尺寸,提高續(xù)航里��
  5. 無線充電系統(tǒng)�
   - 在高頻諧振條件下保持高效工作,支持更�(yuǎn)距離的能量傳��

替代型號

LFSN25N150C1842BAH-796
  LFSN30N18C1842BAH-796
  GAN042-180DS

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