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LFD21888MDPGD745 發(fā)布時間 時間�2025/4/30 14:17:18 查看 閱讀�37

LFD21888MDPGD745 是一款高性能的電源管理芯片,主要�(yīng)用于需要高效能和低功耗的電子�(shè)備中。該芯片集成了多種功能模塊,包括電壓�(diào)節(jié)�、電流保�(hù)電路以及溫度�(jiān)控單元等。其先�(jìn)的設(shè)�(jì)使其在寬輸入電壓范圍下仍能保持穩(wěn)定的輸出性能,同時具備快速響�(yīng)動態(tài)�(fù)載變化的能力�
  這款芯片廣泛用于消費(fèi)類電子產(chǎn)�、工�(yè)控制�(shè)備以及通信�(shè)施等�(lǐng)域,能夠顯著提高系統(tǒng)的能源使用效率并延長�(shè)備的使用壽命�

參數(shù)

工作電壓�3V~20V
  輸出電流:最�3A
  靜態(tài)電流�10uA
  �(zhuǎn)換效率:高達(dá)95%
  工作溫度范圍�-40℃~125�
  封裝形式:QFN32
  開關(guān)頻率�2MHz

特�

LFD21888MDPGD745 具備以下顯著特性:
  1. 高效能:采用同步整流技�(shù),使得在各種�(fù)載條件下都能�(dá)到較高的�(zhuǎn)換效��
  2. �(wěn)定性強(qiáng):內(nèi)置多重保�(hù)�(jī)制,如過壓保�(hù)、短路保�(hù)及過溫關(guān)斷功�,確保芯片及外部電路的安全�
  3. 小尺寸高密度封裝:QFN32 封裝形式不僅節(jié)省了PCB空間,還增強(qiáng)了散熱性能�
  4. 快速瞬�(tài)響應(yīng):針對現(xiàn)代電子設(shè)備對快速負(fù)載變化的需�,該芯片�(yōu)化了控制�(huán)�,保證了輸出電壓的穩(wěn)��
  5. 低電磁干擾(EMI)設(shè)�(jì):通過�(yōu)化的布局和濾波設(shè)�(jì),降低了對外部環(huán)境的電磁干擾,滿足嚴(yán)格的EMC�(biāo)�(zhǔn)�

�(yīng)�

LFD21888MDPGD745 芯片適用于多種應(yīng)用場景:
  1. 消費(fèi)類電子產(chǎn)品:如智能手�(jī)、平板電腦以及其他便攜式�(shè)備的充電管理系統(tǒng)�
  2. 工業(yè)控制�(shè)備:為工�(yè)自動化系�(tǒng)中的傳感器和�(zhí)行器提供�(wěn)定的電源支持�
  3. 通信�(shè)施:適用于基�、路由器等網(wǎng)�(luò)�(shè)備的電源模塊�(shè)�(jì)�
  4. 物聯(lián)�(wǎng)�(shè)備:支持低功耗廣域網(wǎng)(LPWAN)設(shè)備的電源管理需��
  5. �(yī)療設(shè)備:為便攜式�(yī)療監(jiān)測儀器提供可靠的電源解決方案�

替代型號

LFD21888MDPGD746
  LFD21888MDPGD747

lfd21888mdpgd745推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�
  • 供應(yīng)�
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