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您所在的位置�電子元器件采�(gòu)�(wǎng) > IC百科 > LFD212G45DP3A151

LFD212G45DP3A151 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/26 19:17:51 查看 閱讀�17

LFD212G45DP3A151是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要用于開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)和DC-DC�(zhuǎn)換器等電力電子應(yīng)�。該器件采用了先�(jìn)的制造工�,具備低�(dǎo)通電�、高擊穿電壓和快速開(kāi)�(guān)速度的特�(diǎn),能夠顯著提升系�(tǒng)效率并降低功��
  這款MOSFET屬于N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)晶體�,通過(guò)柵極電壓控制其導(dǎo)通與�(guān)斷狀�(tài)。在�(shí)際應(yīng)用中,它廣泛用于電流高達(dá)幾十安培且需要高頻開(kāi)�(guān)的場(chǎng)��

參數(shù)

類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
  漏源擊穿電壓�650V
  連續(xù)漏極電流�18A
  �(dǎo)通電阻(典型值)�150mΩ
  柵極電荷�45nC
  總電容(輸入電容):1500pF
  工作溫度范圍�-55℃至+175�

特�

1. 高擊穿電壓設(shè)�(jì)使其適用于高壓環(huán)�,例如工�(yè)電源和汽車電子領(lǐng)��
  2. 極低的導(dǎo)通電阻確保了高效的功率傳�,同�(shí)減少了發(fā)熱問(wèn)��
  3. 快速開(kāi)�(guān)性能允許其在高頻條件下運(yùn)�,適合現(xiàn)代高效能�(kāi)�(guān)電源的設(shè)�(jì)需��
  4. 良好的熱�(wěn)定性和可靠性使得該器件能夠在惡劣的工作�(huán)境下保持�(zhǎng)期穩(wěn)定性�
  5. 小尺寸封裝有助于節(jié)省PCB空間,滿足便攜式�(shè)備對(duì)緊湊�(shè)�(jì)的要求�

�(yīng)�

1. �(kāi)�(guān)電源(SMPS�
  2. 電機(jī)�(qū)�(dòng)與控�
  3. DC-DC�(zhuǎn)換器
  4. 電池管理模塊
  5. 工業(yè)逆變器及UPS系統(tǒng)
  6. 汽車電子中的�(fù)載切�

替代型號(hào)

LFD212G45DP3A160, LFD212G45DP3A175, IRFZ44N, FQP17N60

lfd212g45dp3a151推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
  • 廠商
  • 封裝/批號(hào)
  • 詢價(jià)

lfd212g45dp3a151參數(shù)

  • 制造商Murata
  • �(chǎn)�Diplexers
  • 頻率范圍2450 MHz to 5487.5 MHz
  • 工作溫度范圍- 40 C to + 85 C
  • 工廠包裝�(shù)�4000