LESD9D12T5G是一款基于氮化鎵(GaN)技術的高效能功率晶體管,專為高頻和高效率應用場景設計。該型號屬于增強型常關器件(E-Mode�,能�?qū)崿F(xiàn)低導通電阻與快速開關速度的結(jié)�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及射頻放大器等應用領域�
此器件采用了先進的封裝技�,具備出色的散熱性能,同時在尺寸上進行了優(yōu)化以適應�(xiàn)代電子設備的小型化需��
最大漏源電壓:120V
連續(xù)漏極電流�9A
導通電阻:4.5mΩ
柵極電荷�70nC
開關頻率:高�5MHz
工作溫度范圍�-55℃至+150�
LESD9D12T5G具有以下顯著特點�
1. 超低導通電阻,可有效降低功耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 快速開關能力,支持高頻操作,從而減少磁性元件體積�
3. �(nèi)置ESD保護功能,提高了芯片在實際使用中的可靠��
4. 高熱性能封裝,確保長時間�(wěn)定運��
5. 符合RoHS標準,環(huán)保且滿足國際法規(guī)要求�
這款功率晶體管廣泛應用于以下領域�
1. 開關模式電源(SMPS)中的主開關管�
2. DC-DC�(zhuǎn)換器的核心功率級元件�
3. 射頻能量系統(tǒng)中的功率放大��
4. 快速充電器和適配器的設��
5. 電機�(qū)動及工業(yè)自動化控制設��
LESD8D10T5G
LESD10D15T5G