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LESD11LS5.0T5G 發(fā)布時間 時間�2025/6/3 12:04:09 查看 閱讀�10

LESD11LS5.0T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技術的高效能功率晶體管,主要用于高頻開關電�、射頻放大器以及高速數(shù)�(jù)轉換電路等應�。該器件采用增強型常閉結� (E-Mode),具有低導通電阻和高擊穿電壓的特點,同時能夠顯著提升系�(tǒng)的效率與功率密度�
  該芯片通過�(yōu)化的柵極驅動設計實現(xiàn)了更快的開關速度,并且具備良好的熱穩(wěn)定性和可靠�。其封裝形式為表面貼裝類�,適合自動化生產流程�

參數(shù)

最大漏源電壓:650V
  連續(xù)漏極電流�5A
  導通電阻:45mΩ
  柵極電荷�80nC
  反向恢復時間�20ns
  工作溫度范圍�-55℃至+150�

特�

LESD11LS5.0T5G 的主要特性包括高耐壓能力�650V),這使其適用于廣泛的工�(yè)及消費類電子領域;超低導通電阻(45mΩ)可減少傳導損耗并提高整體效率;快速開關性能確保了在高頻工作條件下的�(yōu)異表�(xiàn);此�,該器件還具有出色的抗雪崩能力和短路保護功能,進一步增強了系統(tǒng)的安全性和�(wěn)定性�
  由于采用了先進的 GaN 技�,這款晶體管相比傳�(tǒng)硅基 MOSFET 具有更好的動�(tài)響應特性和更高的功率密度。同�,其緊湊的封裝尺寸也� PCB 布局提供了更大的靈活��

應用

該器件廣泛應用于太陽能逆變�、電動汽車充電樁、服務器電源模塊、LED 驅動器以及其他需要高效能量轉換的場景�。在這些應用中,LESD11LS5.0T5G 可以幫助設計人員實現(xiàn)更小體積、更高效率和更低功耗的目標。例�,在 DC-DC 轉換器中使用此器件時,可以顯著降低開關損耗并提升動態(tài)負載調節(jié)能力�

替代型號

LESD11HS5.0T5G, LESD11MS6.5T5G

lesd11ls5.0t5g推薦供應� 更多>

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