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LDTD123YLT1G 發(fā)布時(shí)間 �(shí)間:2025/5/20 15:39:10 查看 閱讀�18

LDTD123YLT1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要用于開�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)� DC-DC �(zhuǎn)換器等應(yīng)用。該芯片采用先�(jìn)的制程工藝,具有低導(dǎo)通電阻和高效率的特點(diǎn),能夠有效降低功耗并提升系統(tǒng)性能�
  這款器件屬于 N 溝道增強(qiáng)� MOSFET,適合高頻開�(guān)�(yīng)�。其封裝形式通常� TO-220 � D2PAK,具體取決于制造商的設(shè)�(jì)需�。LDTD123YLT1G 的設(shè)�(jì)注重散熱性能�(yōu)�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定的電氣特��

參數(shù)

最大漏源電壓:60V
  連續(xù)漏極電流�30A
  �(dǎo)通電阻:2.5mΩ
  柵極電荷�75nC
  開關(guān)速度�100ns
  工作溫度范圍�-55� � +175�

特�

LDTD123YLT1G 的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻(Rds(on)�,有助于減少傳導(dǎo)損耗并提高整體效率�
  2. 高速開�(guān)能力,適合高頻應(yīng)用環(huán)��
  3. 出色的熱性能,確保在大電流和高溫條件下穩(wěn)定運(yùn)��
  4. �(nèi)� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)抗靜電能�,提高可靠��
  5. 符合 RoHS �(biāo)�(zhǔn),環(huán)保無鉛設(shè)�(jì)�
  6. 提供多種封裝選項(xiàng)以適�(yīng)不同�(yīng)用場(chǎng)景的需��

�(yīng)�

LDTD123YLT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
  1. 開關(guān)模式電源 (SMPS),如適配器和充電��
  2. 工業(yè)電機(jī)�(qū)�(dòng)和控制電路�
  3. 電動(dòng)汽車 (EV) 和混合動(dòng)力汽� (HEV) 的電力電子系�(tǒng)�
  4. LED 照明�(qū)�(dòng)電路�
  5. 太陽能逆變器和�(chǔ)能系�(tǒng)的功率轉(zhuǎn)換模��
  6. 通信電源和數(shù)�(jù)中心供電解決方案�

替代型號(hào)

IRFZ44N
  STP30NF06
  FDP18N06

ldtd123ylt1g推薦供應(yīng)� 更多>

  • �(chǎn)品型�(hào)
  • 供應(yīng)�
  • �(shù)�
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