LDTC114EN3T5G 是一款基于氮化鎵 (GaN) 技�(shù)的高效功率晶體管,適用于高頻和高效率�(yīng)用。該器件采用增強(qiáng)型常� (E-mode) 氮化鎵技�(shù),具有低�(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和高功率密度的特�(diǎn)。其封裝形式為表面貼� (SMD),適合自�(dòng)化生�(chǎn),并能有效降低寄生電感對高頻性能的影��
這款 GaN 功率晶體管主要針對高性能電源�(zhuǎn)換市場設(shè)�(jì),例� DC-DC �(zhuǎn)換器、通信電源、工�(yè)電源、服�(wù)器電源等�
最大漏源電壓:100V
最大柵極電壓:6V
連續(xù)漏極電流�4A
�(dǎo)通電阻:7mΩ
開關(guān)頻率:支持高�(dá)5MHz
�(jié)溫范圍:-55℃至+150�
封裝類型:TO-Leadless(無引腳�
LDTC114EN3T5G 的主要特性包括:
1. 高效的氮化鎵技�(shù),具備更低的�(dǎo)通電阻和更少的能量損��
2. 支持超高開關(guān)頻率(高�(dá) 5MHz�,可顯著減少無源元件尺寸并提升功率密��
3. �(nèi)部集� ESD 保護(hù)電路,增�(qiáng)了器件在�(shí)際應(yīng)用中的可靠��
4. 增強(qiáng)型常� (E-mode) �(shè)�(jì),無需額外的負(fù)柵極�(qū)�(dòng)電壓,簡化了�(qū)�(dòng)�(shè)�(jì)�
5. 表面貼裝封裝形式,減少了寄生效應(yīng),提高了高頻性能�
6. 廣泛的工作溫度范圍(-55� � +150℃),適�(yīng)各種惡劣�(huán)境�
LDTC114EN3T5G 主要�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 通信�(shè)備中的高效電源模塊�
3. 工業(yè)電源系統(tǒng)�
4. �(shù)�(jù)中心和服�(wù)器電源供�(yīng)�
5. 無線充電及便攜式電子�(shè)備電源管��
6. 其他需要高效率和小型化的電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用場景�
LDTB114EN3T5G, LDC114EN3T5G