LBZT52MB8V2T1G是一種基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的功率晶體管,屬于高效能寬禁帶半�(dǎo)體器�。該芯片專為高頻、高效率的電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)�(jì),具有低�(dǎo)通電阻和快速開�(guān)特�。其主要�(yīng)用于開關(guān)電源、DC-DC�(zhuǎn)換器以及電機(jī)�(qū)�(dòng)等場�,能夠顯著提升系�(tǒng)效率并減小整體體��
該器件采用DFN封裝形式,具備極佳的散熱性能和電氣穩(wěn)定�,同�(shí)支持高電流密度運(yùn)�,滿足現(xiàn)代電力電子設(shè)備對(duì)高性能和小型化的雙重需��
型號(hào):LBZT52MB8V2T1G
類型:GaN功率晶體�
封裝:DFN8
額定電壓�650V
額定電流�8A
�(dǎo)通電阻:35mΩ
柵極電荷�45nC
反向恢復(fù)�(shí)間:10ns
工作溫度范圍�-55� � +150�
最大功耗:100W
LBZT52MB8V2T1G的核心優(yōu)勢在于其使用了先�(jìn)的GaN技�(shù),這使得它在高頻工作條件下表現(xiàn)出色�
1. 高效開關(guān)性能:得益于GaN材料的獨(dú)特性質(zhì),該器件能夠在極高頻率下保持較低的能量損�,從而實(shí)�(xiàn)更高的系�(tǒng)效率�
2. 快速動(dòng)�(tài)響應(yīng):極短的反向恢復(fù)�(shí)間和低柵極電荷確保了瞬態(tài)響應(yīng)能力�(yōu)秀,適用于�(fù)雜負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行�
3. 小型化與集成性:相比傳統(tǒng)硅基MOSFET,GaN晶體管可以大幅減少外圍元件數(shù)量,并允許更緊湊的設(shè)�(jì)�
4. 熱管理優(yōu)化:DFN8封裝�(jié)合低熱阻�(shè)�(jì),保證了長時(shí)間高�(fù)載運(yùn)行時(shí)的可靠性�
5. 寬廣的工作溫度范圍:無論是低溫環(huán)境還是高溫工�,此器件均能提供�(wěn)定的電氣性能�
LBZT52MB8V2T1G廣泛用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源(SMPS):包括適配�、充電器及服�(wù)器電源等,助力實(shí)�(xiàn)更高的功率密��
2. DC-DC�(zhuǎn)換器:適用于汽車電子、工�(yè)自動(dòng)化等�(lǐng)�,支持大電流輸出和快速動(dòng)�(tài)�(diào)節(jié)�
3. 無線充電模塊:由于其高頻特性和低損耗特�(diǎn),在無線充電系統(tǒng)中可顯著提升能量傳輸效率�
4. 電機(jī)�(qū)�(dòng):在電動(dòng)工具、無人機(jī)及其他便攜式�(shè)備中用作主驅(qū)�(dòng)電路,增�(qiáng)系統(tǒng)的動(dòng)�(tài)性能�
5. 光伏逆變器:用于微型逆變器或�(yōu)化器�(shè)�(jì),提高光伏能源轉(zhuǎn)換效��
LBG75TB8V2T1G
LMG3411R030
STGAP100N06HD
GXT65R035A6LS