LBZT52B6V8T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高效能功率晶體�,專為高頻開�(guān)應用�(shè)�。該器件采用先進的封裝技�(shù),具有出色的熱性能和電氣特�,適用于電源管理、DC-DC�(zhuǎn)換器以及通信�(shè)備等�(lǐng)��
這款晶體管結(jié)合了低導通電阻和高開�(guān)速度的優(yōu)�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并減少能量損��
型號:LBZT52B6V8T1G
類型:增強型氮化鎵場效應晶體管(eGaN FET�
額定電壓�600 V
額定電流�8 A
導通電阻:150 mΩ(典型值,�25°C條件下)
柵極�(qū)動電壓:4 V � 6 V
最大工作結(jié)溫:175°C
封裝形式:TO-252 (DPAK)
開關(guān)頻率:高� 5 MHz
LBZT52B6V8T1G 具有以下顯著特點�
1. 高效的開�(guān)性能,適合高頻操作環(huán)��
2. 超低的導通電阻,有助于降低傳導損��
3. 熱穩(wěn)定性強,能夠在高溫�(huán)境下可靠運行�
4. 快速的開關(guān)速度減少了死區(qū)時間,從而提高了整體效率�
5. 先進的氮化鎵材料使器件具備更小的尺寸和更高的功率密��
6. 提供卓越的抗電磁干擾能力,適合復雜電磁環(huán)境下的應��
LBZT52B6V8T1G 廣泛應用于以下領(lǐng)域:
1. 高頻 DC-DC �(zhuǎn)換器�
2. 服務器及通信�(shè)備中的電源模��
3. LED �(qū)動器和照明系�(tǒng)�
4. 電池充電器和適配��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的電機控制電路�
6. 消費電子�(chǎn)品的快速充電解決方��
7. 太陽能逆變器和其他可再生能源相�(guān)�(shè)��
LBZT52B6V8T2H, TX60N08E