LBSS138WT1G是一款高性能的N溝道增強型MOSFET(金屬氧化物半導體場效應晶體管),廣泛應用于開關(guān)電源、電機驅(qū)�、負載開�(guān)以及其他需要高效開�(guān)性能的應用場�。該器件采用先進的制造工藝,具備低導通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠顯著提高系�(tǒng)效率并降低功耗�
LBSS138WT1G采用了TO-252 (DPAK) 封裝形式,適合表面貼裝技�(shù)(SMT�,具有良好的熱性能和電氣性能�
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�4.2A
導通電阻(Rds(on)):70mΩ(典型值,在Vgs=10V時)
總功耗:1.1W
工作溫度范圍�-55℃至+150�
LBSS138WT1G的主要特性包括:
1. 極低的導通電�,可減少功率損耗�
2. 高速開�(guān)能力,適用于高頻應用�
3. 較高的雪崩擊穿能力和抗靜電能�,增強了器件的可靠��
4. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛�
5. 小型化封裝設�,適合高密度電路板布局�
6. �(wěn)定的工作溫度范圍,適應惡劣環(huán)境下的應用需��
LBSS138WT1G適合用于以下應用場景�
1. 開關(guān)電源中的同步整流�
2. 電池保護電路�
3. 電機�(qū)動控制�
4. 汽車電子中的負載開關(guān)�
5. 工業(yè)自動化設備中的信號切��
6. 各類消費類電子產(chǎn)品中的電源管理模��
IRLZ44N, AO3400A