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LBC858BDW1T1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間:2025/5/21 19:21:28 查看 閱讀:6

LBC858BDW1T1G是一款高性能的功率MOSFET芯片,采用先進(jìn)的制造工藝設(shè)計(jì)。該器件適用于高效率、高頻率的開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用領(lǐng)域,具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)速度的特點(diǎn),廣泛用于DC-DC轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景。
  其封裝形式為DFN8(2mmx2mm),這種小型化封裝有助于提高功率密度并減少系統(tǒng)體積。同時(shí),LBC858BDW1T1G支持高效能散熱管理,并具備出色的電氣性能。

參數(shù)

最大漏源電壓:30V
  連續(xù)漏極電流:7.6A
  導(dǎo)通電阻(典型值):4mΩ
  柵極電荷:13nC
  反向恢復(fù)時(shí)間:15ns
  工作結(jié)溫范圍:-55℃ to +175℃
  封裝類(lèi)型:DFN8(2mmx2mm)

特性

LBC858BDW1T1G的主要特性包括:
  1. 極低的導(dǎo)通電阻,可顯著降低導(dǎo)通損耗,提升整體效率。
  2. 快速開(kāi)關(guān)能力,能夠滿足高頻應(yīng)用需求,從而減小外部元件尺寸。
  3. 高電流承載能力,確保在大負(fù)載條件下的穩(wěn)定運(yùn)行。
  4. 良好的熱性能,即使在高功耗環(huán)境下也能保持可靠性。
  5. 小型化的DFN封裝,適合對(duì)空間要求嚴(yán)格的現(xiàn)代電子設(shè)備。
  6. 支持寬泛的工作溫度范圍,適應(yīng)多種惡劣環(huán)境。

應(yīng)用

這款功率MOSFET適用于以下領(lǐng)域:
  1. 開(kāi)關(guān)電源中的同步整流電路。
  2. DC-DC轉(zhuǎn)換器及負(fù)載點(diǎn)調(diào)節(jié)器的設(shè)計(jì)。
  3. 消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品中的電池管理模塊。
  4. 工業(yè)控制與自動(dòng)化中的電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
  5. 通信設(shè)備中的高效能電源解決方案。
  6. 其他需要高效率、高頻率開(kāi)關(guān)操作的應(yīng)用場(chǎng)合。

替代型號(hào)

LBC858BDS1T1G, LBC858BDW2T1G

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