LBC856BWT1G是一款高性能的DDR4 ECC內存模組,主要用于服務器和工作站等需要高可靠性和穩(wěn)定性的應用環(huán)境。該內存采用288針設計,符合JEDEC標準,具備ECC(Error Correction Code)糾錯功能,可以檢測并糾正單比特錯誤,從而提升系統(tǒng)的可靠性和數據完整性。
此外,LBC856BWT1G支持更高的頻率和更低的電壓,與傳統(tǒng)的DDR3相比,性能更強且能耗更低。
容量:16GB
類型:DDR4 ECC Registered DIMM
接口:288 Pin
速度:2666MT/s
電壓:1.2V
ECC支持:支持
工作溫度:0°C至70°C
封裝形式:DIMM
LBC856BWT1G的主要特性包括:
1. ECC功能可自動檢測和糾正單比特錯誤,極大減少數據損壞的可能性。
2. 注冊緩沖器(Registered Buffer)降低了信號負載,使得內存更適合多通道、高密度的應用場景。
3. DDR4技術提供更高的帶寬和更快的數據傳輸速率,相較于DDR3顯著提升了性能。
4. 1.2V的工作電壓有效降低了功耗,減少了發(fā)熱量。
5. 高質量的材料和制造工藝確保了產品的長期穩(wěn)定性和可靠性。
LBC856BWT1G廣泛應用于對性能和可靠性要求較高的領域,例如:
1. 數據中心服務器。
2. 高性能計算(HPC)系統(tǒng)。
3. 企業(yè)級工作站。
4. 虛擬化環(huán)境下的服務器。
5. 數據庫管理系統(tǒng)和其他關鍵任務應用程序。
LBC856AWT1G, LBC856CWT1G