時間：2025/5/23 18:06:41
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LBC856ALT1G 是一款基于氮化鎵（GaN）技術(shù)的高效功率晶體管，廣泛應(yīng)用于高頻和高功率密度場景。該器件采用了先進的封裝技術(shù)以優(yōu)化散熱性能，適合在開關(guān)電源、DC-DC轉(zhuǎn)換器、電機驅(qū)動等應(yīng)用中提供卓越的效率與可靠性。
這款 GaN 功率晶體管具備快速開關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻的特點，能夠在高頻條件下顯著降低開關(guān)損耗，從而提升整體系統(tǒng)效率。
型號：LBC856ALT1G
類型：增強型 GaN 功率場效應(yīng)晶體管（e-mode HEMT）
最大漏源電壓：650V
連續(xù)漏極電流：2A
導(dǎo)通電阻：130mΩ（典型值）
柵極電荷：4.5nC（典型值）
輸入電容：790pF（典型值）
反向恢復(fù)時間：無（由于 GaN 技術(shù)特性）
工作溫度范圍：-55°C 至 +150°C
LBC856ALT1G 的主要特性包括：
1. 高效開關(guān)能力，能夠支持高達幾兆赫茲的工作頻率，非常適合高頻應(yīng)用。
2. 低導(dǎo)通電阻設(shè)計顯著減少了傳導(dǎo)損耗，提升了系統(tǒng)的整體效率。
3. 內(nèi)置保護功能如過流保護、短路保護和熱關(guān)斷功能，增強了器件的魯棒性。
4. 封裝形式緊湊，采用符合行業(yè)標準的表面貼裝封裝，便于自動化生產(chǎn)。
5. 熱性能優(yōu)異，能夠有效將熱量散發(fā)到PCB上，保證長時間穩(wěn)定運行。
6. 沒有傳統(tǒng)硅基 MOSFET 中的反向恢復(fù)問題，進一步降低了開關(guān)損耗。
7. 符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。
LBC856ALT1G 廣泛應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
1. 開關(guān)模式電源（SMPS），包括 AC-DC 和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器。
2. 無線充電模塊中的功率傳輸元件。
3. 工業(yè)設(shè)備中的高頻逆變器和電機驅(qū)動。
4. 電動車充電樁和其他需要高效率、高功率密度的場合。
5. 可再生能源領(lǐng)域的微型逆變器和電池管理系統(tǒng)。
6. 快速充電適配器，以實現(xiàn)更小體積和更高效率的設(shè)計。
LBC856AET1G, LBC856ALT2G
