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LBC848BWT1G 發(fā)布時(shí)間 時(shí)間：2025/5/20 20:55:10 查看 閱讀：13

LBC848BWT1G是一款高速、低功耗的存儲(chǔ)芯片，屬于DDR4 SDRAM系列。該芯片主要應(yīng)用于服務(wù)器、高性能計(jì)算設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備等領(lǐng)域。它支持高頻率的數(shù)據(jù)傳輸速率，具備出色的可靠性和穩(wěn)定性，能夠滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對(duì)大容量、快速數(shù)據(jù)處理的需求。
　　該芯片采用了先進(jìn)的制程工藝，在功耗與性能之間實(shí)現(xiàn)了良好的平衡，同時(shí)符合JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范，確保了其與主流平臺(tái)的良好兼容性。

參數(shù)

類型：DDR4 SDRAM
　　容量：8Gb
　　I/O電壓：1.2V
　　核心電壓：1.2V
　　數(shù)據(jù)速率：2133MT/s~3200MT/s
　　封裝形式：BGA
　　工作溫度范圍：-40°C ~ +125°C
　　引腳數(shù)：78-Ball
　　數(shù)據(jù)寬度：x8/x16

特性

LBC848BWT1G具有以下顯著特性：
　　1. 支持高達(dá)3200MT/s的數(shù)據(jù)傳輸速率，提供卓越的帶寬性能。
　　2. 內(nèi)置自動(dòng)刷新和自定時(shí)刷新功能，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)并降低了功耗。
　　3. 具備強(qiáng)大的錯(cuò)誤檢測(cè)能力，包括On-Die ECC功能，可有效減少數(shù)據(jù)傳輸中的錯(cuò)誤。
　　4. 支持多種省電模式，如深度功率降低（Deep Power Down）和部分陣列自刷新（Partial Array Self Refresh）。
　　5. 高可靠性設(shè)計(jì)，適用于嚴(yán)苛的工作環(huán)境。
　　6. 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)，滿足綠色制造要求。

應(yīng)用

LBC848BWT1G廣泛應(yīng)用于需要高性能內(nèi)存的領(lǐng)域，包括但不限于：
　　1. 數(shù)據(jù)中心和企業(yè)級(jí)服務(wù)器。
　　2. 網(wǎng)絡(luò)交換機(jī)和路由器等通信設(shè)備。
　　3. 工業(yè)控制和嵌入式系統(tǒng)。
　　4. 高端圖形工作站和科學(xué)計(jì)算設(shè)備。
　　5. 游戲主機(jī)及其他高性能消費(fèi)類電子產(chǎn)品。

替代型號(hào)

LBC848AWT1G, LBC848CWT1G

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