LBC846ALT1G 時(shí)間：2025/4/29 11:19:00 閱讀：26

LBC846ALT1G 是一款基于硅鍺 (SiGe) 工藝的高性能低噪聲放大器 (LNA) 芯片，專為射頻 (RF) 和微波應(yīng)用設(shè)計(jì)。該芯片能夠在高頻段提供卓越的增益和低噪聲性能，廣泛應(yīng)用于通信系統(tǒng)、雷達(dá)設(shè)備以及測(cè)試測(cè)量儀器等領(lǐng)域。其出色的線性度和穩(wěn)定性使其成為高要求場景的理想選擇。
　　該器件采用緊湊型封裝，適合空間受限的應(yīng)用環(huán)境，并且具有低功耗特性，有助于提高系統(tǒng)的整體效率。

參數(shù)

工作頻率范圍：3GHz 至 20GHz
　　增益：15dB（典型值）
　　噪聲系數(shù)：1.5dB（典型值）
　　輸入回波損耗：10dB（最小值）
　　輸出回波損耗：12dB（最小值）
　　電源電壓：+5V
　　靜態(tài)電流：70mA
　　輸出功率（1 dB 壓縮點(diǎn)）：+10dBm
　　最大輸入功率：+20dBm
　　工作溫度范圍：-40°C 至 +85°C
　　封裝形式：QFN 封裝

特性

LBC846ALT1G 提供了卓越的高頻性能，特別是在 3GHz 到 20GHz 的寬頻帶范圍內(nèi)表現(xiàn)尤為突出。
　　其低噪聲系數(shù)確保了信號(hào)在經(jīng)過放大后仍能保持較高的信噪比，這對(duì)于需要高質(zhì)量接收的應(yīng)用至關(guān)重要。
　　此外，該芯片還具備良好的線性度，能夠有效減少失真并提升系統(tǒng)的動(dòng)態(tài)范圍。
　　得益于其低功耗設(shè)計(jì)，LBC846ALT1G 在電池供電或?qū)拿舾械脑O(shè)備中也能發(fā)揮出色的表現(xiàn)。
　　同時(shí)，其緊湊的封裝形式簡化了 PCB 布局，并減少了對(duì)額外外圍元件的需求。

應(yīng)用

LBC846ALT1G 主要應(yīng)用于以下領(lǐng)域：
　　1. 無線通信系統(tǒng)中的射頻前端模塊。
　　2. 點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無線電鏈路和微波回傳網(wǎng)絡(luò)。
　　3. 軍用及民用雷達(dá)設(shè)備。
　　4. 高精度測(cè)試與測(cè)量儀器。
　　5. 衛(wèi)星通信系統(tǒng)中的地面站設(shè)備。
　　6. 醫(yī)療成像和其他需要高靈敏度接收的應(yīng)用場景。