LBAV21T1G 是一款基于氮化鎵(GaN)技�(shù)的高性能射頻功率晶體�,專為無線通信、雷�(dá)和其他射頻應(yīng)用設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的封裝技�(shù),能夠提供高效率和高增益的性能。LBAV21T1G 支持高頻段操作,適用� S 波段及以上的�(yīng)用領(lǐng)��
該元器件在設(shè)�(jì)上優(yōu)化了散熱性能,確保在高功率密度下的長(zhǎng)期可靠�。其卓越的線性度和穩(wěn)定性使其成為射頻放大器的理想選擇�
類型:射頻功率晶體管
材料:氮化鎵(GaN�
頻率范圍�2 GHz � 20 GHz
輸出功率�50 W(典型值)
增益�12 dB(典型值)
效率�65%(典型值)
工作電壓�28 V
封裝形式:陶瓷金屬封�
輸入阻抗�50 Ω
輸出阻抗�50 Ω
LBAV21T1G 的主要特性包括高輸出功率、寬帶寬支持以及出色的效率表�(xiàn)。通過 GaN 技�(shù)的應(yīng)�,這款晶體管能夠在高頻�(huán)境下維持�(wěn)定的性能�
此外,該器件具有低熱阻的特�,有助于提升整體系統(tǒng)的可靠性和壽命。LBAV21T1G 在設(shè)�(jì)�(shí)充分考慮了與其他射頻組件的兼容�,便于集成到�(fù)雜的射頻系統(tǒng)中�
由于采用了高效的散熱管理�(shè)�(jì),即使在高負(fù)載條件下,LBAV21T1G 也能夠保持較低的工作溫度,從而減少熱相關(guān)故障的可能性。這種�(wěn)健的�(shè)�(jì)特別適合于需要長(zhǎng)�(shí)間連續(xù)�(yùn)行的�(yīng)用場(chǎng)��
LBAV21T1G 廣泛�(yīng)用于多種射頻相關(guān)�(lǐng)域,包括但不限于�
1. 無線通信基礎(chǔ)�(shè)�,如基站功率放大器�
2. 軍用雷達(dá)系統(tǒng),特別是在相控陣?yán)走_(dá)中�
3. 航空航天�(shè)備中的射頻發(fā)射模��
4. �(yī)療成像設(shè)備中的高功率射頻��
5. 工業(yè)、科�(xué)和醫(yī)療(ISM)領(lǐng)域的射頻能量�(yīng)��
LBAV21T1G 憑借其卓越的性能指標(biāo),非常適合需要高效率、高增益和大功率輸出的應(yīng)用環(huán)��
LBAV21T2G, LBAV21T3G