LBAT54SLT1G 是一款基于砷化鎵(GaAs)工藝的低噪聲放大器(LNA)芯片,廣泛�(yīng)用于射頻和微波通信系統(tǒng)�。該芯片具有高增益、低噪聲系數(shù)和出色的線性度,適合用于無線通信、衛(wèi)星接收和其他高頻�(yīng)�。它通常以表面貼裝形式提供,便于集成到各種電路設(shè)計中�
這款芯片的設(shè)計目�(biāo)是滿足高性能射頻前端的需�,其封裝小巧,支持寬泛的工作頻率范圍,并且在不同溫度條件下能夠保持穩(wěn)定的性能�
型號:LBAT54SLT1G
工作頻率范圍�0.7 GHz � 3.8 GHz
增益�16 dB 典型�
噪聲系數(shù)�0.8 dB 典型�
輸入回波損耗:12 dB 典型�
輸出回波損耗:12 dB 典型�
電源電壓�3.3 V
靜態(tài)電流�40 mA 典型�
封裝形式:SOT-89-5
LBAT54SLT1G 的主要特點是其低噪聲系數(shù),使其非常適合對信號完整性要求極高的�(yīng)用場�。此外,它的增益較高且穩(wěn)�,在較寬的工作頻率范圍內(nèi)表現(xiàn)一致。芯片采用了高效的砷化鎵異質(zhì)�(jié)雙極晶體管(pHEMT)技�(shù),從而保證了�(yōu)異的線性度和穩(wěn)定��
此外,LBAT54SLT1G 還具備較低的功�,能夠在電池供電�(shè)備中延長使用時間。其緊湊� SOT-89-5 封裝也使其易于集成到小型化產(chǎn)品設(shè)計中�
對于需要在惡劣�(huán)境下工作的應(yīng)用,該芯片能夠在 -40°C � +85°C 的溫度范圍內(nèi)正常運行,同時保持關(guān)鍵性能指標(biāo)的一致性�
LBAT54SLT1G 廣泛適用于多種高頻通信場景,包括但不限于:
1. 無線通信基站的射頻前端模�
2. �(wèi)星通信系統(tǒng)的地面站接收�(shè)�
3. GPS � GNSS 接收�
4. 雷達系統(tǒng)中的低噪聲信號放�
5. 點對點微波鏈路設(shè)�
由于其卓越的性能和可靠�,該芯片成為許多高性能射頻�(yīng)用的理想選擇�
LBAT55SLT1G
LBAT56SLT1G