L9959T-D 是一款高性能的功率MOSFET,專為高效率和高可靠性應(yīng)用而設(shè)�(jì)。該器件采用先�(jìn)的半�(dǎo)體制造工�,具有較低的�(dǎo)通電阻和較高的開(kāi)�(guān)速度,適用于多種電源管理�(chǎng)��
型號(hào):L9959T-D
類型:N溝道增強(qiáng)型MOSFET
最大漏源電壓:60V
最大柵源電壓:±20V
連續(xù)漏極電流�30A
�(dǎo)通電阻(典型值)�4mΩ
總功耗:180W
工作溫度范圍�-55� � 175�
L9959T-D具備出色的電氣性能,包括低�(dǎo)通電�、高電流承載能力和快速開(kāi)�(guān)能力。此外,它還擁有良好的熱�(wěn)定性和抗靜電能力(ESD保護(hù)�。其緊湊的封裝形式有助于節(jié)省PCB空間,并支持表面貼裝技�(shù)(SMT�,便于自�(dòng)化生�(chǎn)�
該芯片在高溫�(huán)境下仍能保持�(wěn)定的性能,因此非常適合對(duì)可靠性和效率要求較高的應(yīng)用場(chǎng)��
L9959T-D廣泛�(yīng)用于各種電力電子�(shè)備中,例如DC-DC�(zhuǎn)換器、開(kāi)�(guān)電源、電�(jī)�(qū)�(dòng)電路、負(fù)載開(kāi)�(guān)以及電池管理系統(tǒng)�。由于其�(qiáng)大的電流處理能力和高效的�(kāi)�(guān)特�,它也常用于工業(yè)控制�(lǐng)域和汽車(chē)電子系統(tǒng)��
L9959T-A, L9959T-B, L9959T-C