L2SC1623RLT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半導(dǎo)體)生產(chǎn)的N溝道增強型功率MOSFET。該器件采用先進的制造工藝,具有低導(dǎo)通電�、高開關(guān)速度和出色的熱性能等特�,廣泛應(yīng)用于需要高效功率轉(zhuǎn)換的場合。此型號特別適用于工�(yè)、汽車和消費電子�(lǐng)域中的各種電源管理應(yīng)用�
最大漏源電�(VDS)�60V
最大柵源電�(VGS):�20V
最大連續(xù)漏極電流(ID)�14A
�(dǎo)通電�(RDS(on))�2.8mΩ(典型�,在VGS=10V時)
總柵極電�(Qg)�55nC
輸入電容(Ciss)�1940pF
工作溫度范圍�-55℃至175�
L2SC1623RLT1G具有以下主要特性:
1. 極低的導(dǎo)通電阻(RDS(on)),能夠顯著降低�(dǎo)通損�,提高整體效率�
2. 高開�(guān)速度,得益于較低的總柵極電荷(Qg�,使其非常適合高頻開�(guān)�(yīng)用�
3. 強大的散熱能�,能夠在高溫�(huán)境下保持�(wěn)定運行�
4. 增強的雪崩擊穿能�,提高了在過載條件下的可靠性�
5. 符合RoHS標準,環(huán)保無鉛封裝�
6. 采用TO-263-3(D2PAK)封裝形�,便于安裝和散熱�(shè)��
該功率MOSFET適合多種�(yīng)用場�,包括但不限于:
1. 開關(guān)電源(SMPS)中的主開關(guān)管或同步整流管�
2. 直流/直流�(zhuǎn)換器(DC-DC Converter)中作為高端或低端開�(guān)�
3. 電動機驅(qū)動電路中的功率級元件�
4. 汽車電子系統(tǒng)中的負載切換和保護功��
5. 工業(yè)自動化設(shè)備中的功率控制模��
6. 其他需要高性能功率開關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)��
L2SC1623RLT1G_A, L2SC1623RLT1G_B