L2SA1774RT1G 是一款高性能的功� MOSFET 芯片,主要應(yīng)用于電源管理、電機驅(qū)動和開關(guān)電路等場�。該器件采用先進的制造工�,具備低�(dǎo)通電阻和高開�(guān)速度的特�,能夠在高頻�(yīng)用中提供出色的效率和可靠��
這款芯片屬于邏輯電平增強� N 溝道 MOSFET,適合需要高能效和快速響�(yīng)的設(shè)計需求�
型號:L2SA1774RT1G
類型:N-Channel MOSFET
封裝:TO-263 (D2PAK)
漏源電壓(Vds)�60V
連續(xù)漏極電流(Id)�58A
柵極電壓(Vgs(th))�1.2V � 2.5V
�(dǎo)通電�(Rds(on))�2.5mΩ(在 Vgs=10V 時)
總功�(Ptot)�195W
工作溫度范圍�-55°C � +175°C
L2SA1774RT1G 具備以下顯著特性:
1. 極低的導(dǎo)通電� Rds(on),有助于降低�(dǎo)通損耗并提升系統(tǒng)效率�
2. 高電流處理能�,能夠支持高� 58A 的連續(xù)漏極電流�
3. 快速開�(guān)性能,適用于高頻開關(guān)�(yīng)��
4. 寬泛的工作溫度范圍,可適�(yīng)各種嚴苛�(huán)��
5. �(wěn)定性高,具有良好的熱特性和抗干擾能��
6. 小型化的 TO-263 封裝,節(jié)� PCB 布局空間�
L2SA1774RT1G 廣泛�(yīng)用于以下�(lǐng)域:
1. 開關(guān)電源 (SMPS) 中的功率�(zhuǎn)��
2. 電動工具和家用電器中的電機驅(qū)��
3. 工業(yè)自動化設(shè)備中的負載開�(guān)�
4. 太陽能逆變器和其他可再生能源系�(tǒng)�
5. 通信電源和數(shù)�(jù)中心的高效功率管��
6. 各種電池管理系統(tǒng) (BMS) 中的保護和控制功��
L2SA1773RT1G, IRFZ44N, FDP5560